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基于ΔVGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准源-电子器件
第39卷 第3期 电 子 器 件 Vol39 No.3
2016年6月 ChineseJournalofElectronDevices June 2016
AHighPrecisionBandgapReferencewithHigh-Order
TemperatureCompensationbyΔVGS
CHENPeiteng，WANGWeidong ，LIGuanhua*
（SchoolofInformationandCommunicationEngineering，GuilinUniversityofElectronicTechnology，GuilinGuangxi541004，China）
Abstract：Thedifferenceinthegate-sourcevoltageΔV bytwoMOSthatworkintheweakinversion，producesthe
GS
high- endcompensation，whichcarriesonhigh- ordertemperaturecompensationforthetraditionalBJTbandgap
reference.Ahighprecisionbandgapreferencewithhigh-ordertemperaturecompensationcanbedesignedby ΔV .
GS
AndthecircuitisdesignedbyusingCSMC 0.5 μmstandardCMOSprocess.Thesimulationshowsthat：whenthe
supplyvoltageis5V，theoutputreferencevoltageis 1.258V；duringtherangeoftemperature-40 ℃~125℃，the
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temperaturecoefficientis 1.24×10 /℃；thePSRRis-68dBatlowfrequency；whenthevoltageworksduring3.5V~
6.5V，linearregulationis0.4mV/V.Itissuitableforhighprecisionbandgapvoltagereference.
Keywords：bandgapreference；subthreshold；lowtemperaturecoefficient
EEACC：7320G；2570D doi：10.3969/j.issn.1005-9490.2016.03.006
基于ΔV 高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准源*
GS
陈培腾，王卫东 ，黎官华*
（桂林电子科技大学信息与通信学院，广西桂林541004）
摘 要：利用两个工作在亚阈区的MOS管的栅源电压差ΔV 产生高阶补偿量，对传统的BJT带隙基准源进行高阶温度补
GS
偿。设计一种基于ΔV 高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准。电路基于CSMC0.5μm标准CMOS工艺设计，仿真结果表
GS
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明：在5V 电源电压下，基准输出电压为 1.258V；在-40℃~125℃的温度范围内，温度系数为
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