ltp工艺流程介绍.ppt

May 2003 OLED Team LTPS(3.7inch)工艺流程 附录 3.7”LTPS flow pre-compaction poly （mask1） poly （mask1） poly （mask1） poly （mask1） poly （mask1） CHD（mask） CHD（mask2） CHD（mask2） ND（mask3） ND（mask3） ND（mask3） GIM1 (mask4) GIM1 (mask4) GIM1 (mask4) GIM1 (mask4) GIM1 (mask4) PD（mask5） PD（mask5） PD（mask5） ILD（mask6） ILD（mask6） ILD（mask6） ILD（mask6） ILD（mask6） M2（mask7） M2（mask7） M2（mask7） M2（mask7） M2（mask7） PLN（mask8） PLN（mask8） PLN（mask8） ITO1（mask9） ITO1（mask9） ITO1（mask9） ITO1（mask9） passivation（mask10） passivation（mask10） passivation（mask10） passivation（mask10） ITO2（mask11） ITO2（mask11） ITO2（mask11） ITO2（mask11） 谢谢！ HF clean M2 DEPO 1、使用PDC300进行HF clean （twice，且需降速） 2、需联系WET工程师进行clean 1、M2(Ti/Al/Ti) DEPO使用PVD200的 S4和PVD100的S4 2、M2 DEPO前需使用dummy glass在 Al chamber和Ti chamber内进行预溅射 Dry etch Photo 1、M2 photo在Photo 300进行， recipe （221377）由6位数字组成，其中，前3 位代表track，后3位代表exposure。 2、对位：M2 → M1 3、photo后需在AEI500进行ADI检测， 然后，在CDC100进行CD、OL的确认 1、M2 etch在DE200的ECCP chamber 完成 2、工艺进行时，需将T/M内arm的速度 降低 Metal anneal stripper 1、在stripper600完成（目前LTPS基板均 在此机台完成stripper工艺 2、待stripper结束后，首先在AEI500进行 AEI检测，然后在CDC200进行CD及TP测试 1、待stripper结束后，在RTA100进行 metal anneal TEG 1、根据split table，选取要测试的基板在TEG100 进行TEG测试 After M2 stripper After M2 photo M2 section photo Anneal Ashing PLN Layer flow Photo 1、PLN photo在Photo 400进行， recipe （264378）由6位数字组成，其中，前3 位代表track，后3位代表exposure。 2、对位： PLN→ M2 3、在进行run货前，需对track recipe的关键 子recipe进行确认，如： coating，pre bake ， Develop；同时，需要对exposure的scan speed 进行确认 4、photo后需在AEI500进行ADI检测（重点观察 是否出现有机膜peeling），然后，在CDC100 进行CD、OL的确认 Anneal 1、待photo结束后，在anneal200/300进行有机膜 烘烤 Ashing 1、在DE300使用RIE chamber（PC1~PC4） 进行有机膜灰化 2、工艺进行时，需将T/M内arm的速度 降低 ORG normal ORG peeling PDC ITO1 DEPO photo WET etch Stripper Anneal ITO1 Layer flow PDC ITO1 DEPO 1、normal clean， 可在PDC100/200/300进行 1、待clean完成后，在PVD400的量产 chamber进行ITO1 DEPO WET etch Photo 1、ITO photo在Photo 300进行， recipe （161379）由6位数字组成，其中，前3 位代表track，后3位代表exposure。 2、对位：ITO1 → M2 3、photo后需在AEI500进行ADI检测， 然后，在CDC100进行CD、OL的确认 1、在WET