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5 规模数字集成电路习题解答 1 我检测题 ［T5.1］在存储器结构中，什么是 “字”？什么是“字长”，如何标注存储器的容量？ n 采用同一个地址存放的一组二进制数，称为字。字的位数称为字长。习惯上用总的位 c 数来表示存储器的容量，一个具有n 字、每字m 位的存储器，其容量一般可表示为n ×m 。 . ［T5.2］试述RAM 和ROM 的区别。 n RAM 称为随机存储器，在工作中既允许随时从指定单元内读出信息，也可以随时将 信息写入指定单元，最大的优点是读写方便。但是掉电后数据丢失。 a ROM 在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速、随时地修改或重新写入数据， a 内部信息通常在制造过程或使用前写入， ［T5.3］试述SRAM 和DRAM 的区别。 d SRAM 通常采用锁存器构成存储单元，利用锁存器的双稳态结构，数据一旦被写入就 i 能够稳定地保持下去。动态存储器则是以电容为存储单元，利用对电容器的充放电来存储 a 信息，例如电容器含有电荷表示状态1，无电荷表示状态0 。根据DRAM 的机理，电容内 . 部的电荷需要维持在一定的水平才能保证内部信息的正确性。因此，DRAM 在使用时需要 w 定时地进行信息刷新，不允许由于电容漏电导致数据信息逐渐减弱或消失。 ［T5.4］与SRAM 相比，闪烁存储器有何主要优点？ w 容量大，掉电后数据不会丢失。 w ［T5.5］用ROM 实现两个4 位二进制数相乘，试问：该ROM 需要有多少根地址线？ 多少根数据线？其存储容量为多少？ 源 8 根地址线，8 根数据线。其容量为64 ×8。 资 ［T5.6］一个ROM 共有 10 根地址线，8 根位线（数据 出线），则其存储容量为 。 2 案 2 10 （A ）10×8 （B ）10 ×8 （C ）10×8 （D ）2 ×8 答 ［T5.7］为了构成4096 8 的RAM ，需要 片1024 2 的RAM 。 （A ）8 片 （B ）16 片 （C ）2 片 （D ）4 片 题 ［T5.8］哪种器件中存储的信息在掉电以后即丢失 ？ 习 2 （A ）SRAM （B ）UVEPROM （C ）E PROM （D ）PAL 多 ［T5.9］关于半导体存储器的描述，下列哪种说法是错误的 。 更 （A ）RAM 读写方便，但一旦掉电，所存储的内容就会全部丢失 （B ）ROM 掉电以后数据不会丢失 （C ）RAM 可分