第1章 三极管.pptVIP

第一章 半导体三极管;一、BJT的结构简介： ;制造工艺： （1）发射区比基区、集电区掺杂浓度大。 （2）集电结面积比发射区的大。 （3）基区薄(几um——几十um),高频几um，低频几十um 因此发射区、集电区并不是对称的。 ;二、BJT的电流分配与放大作用： ;ICBO ;N ;三极管内部载流子的运动;2．电流分配关系： ;各极电流之间关系式 ;各极电流之间关系式 ;β和IcEo 的物理含义 ; 讨论IcEo，它是基极开路(即IB=0)时由集电极直通到发射极的电流，当基极开路时，加在集电极和发射极间的正值电压VCE被分配到两个结上，即VCB为正值，集电结上加的是反偏；VBE为正值，发射结上加的是正偏，晶体三极管仍工作在放大模式，具有正向受控作用。至于IB=0，就是IB中的受控成分等于IcBo，其值被放大 ;三、BJT的特性曲线：;三、BJT的特性曲线：;三、BJT的特性曲线（续）;;共基极输出特性曲线;放大区与饱和区的分界线是图1-4-13的纵轴（υCB＝0），所以共基极输出特性的饱和区在图中的第二象限。实际上，当集电结的正偏电压较小（小于集电结的导通电压VBC(on)=0.4V）时，集电极电流中收集电流是主要成分，故还具有放大区的特点，只有当集电结的正偏大于它的导通电压后，iC才随集电结的正偏电压增大而迅速减小，这