SooPAT确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法.PDF

SooPAT 确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯 光栅中刻蚀截止点的方法 申请号：201310251594.9 申请日：2013-06-24 申请(专利权)人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 地址 130033 吉林省长春市东南湖大路3888号 发明(设计)人焦庆斌 谭鑫 巴音贺希格 齐向东 主分类号 G01N30/02(2006.01)I 分类号 G01N30/02(2006.01)I 公开(公告)号103344716A 公开(公告)日2013-10-09 专利代理机构 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人 王丹阳 注：本页蓝色字体部分可点击查询相关专利 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号CN 103344716 B (10)授权公告号 CN 103344716 B (45)授权公告 日 2014.11.19 (21)申请号 201310251594.9 审查员 陈慧慧 (22)申请 日 2013.06.24 (73)专利权人 中国科学院长春光学精密机械与 物理研究所 地址 130033 吉林省长春市东南湖大路 3888 号 (72)发明人 焦庆斌 谭鑫 巴音贺希格 齐向东 (74)专利代理机构 长春菁华专利商标代理事务 所 22210 代理人 王丹阳 (51) Int.C l. G01N 30/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 权利要求书1 页 说明书4 页 附图2 页 (54) 发明名称 确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀 截止点的方法 (57) 摘要 确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀 截止点的方法，属于光谱技术领域，解决了现有技 术确定单晶硅湿法刻蚀刻蚀截止点重复性差、精 度低的问题。本发明的方法包括以下步骤 ：(1) 构 建一套包括单晶硅湿法刻蚀反应以及检测痕量氢 气的装置；(2) 在反应未开始时通过机械泵对装 置抽真空，通过真空规及真空计测量氢气输送管 内的真空度 ；(3) 真空度达到10Pa 以下时开始反 应，通过机械泵将反应生成的氢气抽至痕量氢气 检测装置，得到痕量氢气检测装置中氢气总量的 原子吸收光谱峰值随反应时间的关系曲线；(4) 当关系曲线的变化趋缓时任意时刻停止反应过 程，此时即为刻蚀截止点。本发明能够精确确定单 B B 晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅的刻蚀截止点。 6 6 1 1 7 7 4 4 4 4 3 3 3 3 0 0 1 1 N N C C CN 103344716 B 权 利 要 求 书 1/1 页 1. 确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法，其特征在于，包括以下 步骤 ： 步骤一、配置一套单晶硅湿法刻蚀反应装置：氢气输送管 (11) 的两端分别连接痕量氢 气检测装置 (10) 和冷凝管(5) 的一端，冷凝管(5) 的另一端连接反应