低噪声、宽谱响应的碳纳米管薄膜-石墨烯复合光探测器.pdfVIP

北京大学学报(自然科学版) 第 52 卷 第 3 期 2016 年 5 月 Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis, Vol. 52, No. 3 (May 2016) doi: 10.13209/j.0479-8023.2015.127 低噪声、宽谱响应的碳纳米管薄膜石墨烯 复合光探测器 李子珅 刘旸 许海涛 魏楠 於菪珉 王胜† 纳米器件物理与化学教育部重点实验室 , 北京大学电子学系 , 北京 100871; † 通信作者 , E-mail: shengwang@pku.edu.cn 摘要 采用高纯半导体碳纳米管薄膜和石墨烯构建复合结构光探测器, 研究其光电响应特性。结果表明 , 在 光照下, 顶层石墨烯中的光生载流子通过碳纳米管与石墨烯之间薄的非晶硅层, 隧穿至底层的碳纳米管薄膜 中, 在非晶硅层两侧分别富集电子和空穴 , 形成光致栅压 (Photogating), 有效地改变了碳纳米管薄膜晶体管 的电流。器件在可见光(633 nm)条件下得到响应度为 83 mA/W, 并在近红外波段范围内仍保持好的光响应特 性。由于石墨烯具有宽谱光吸收特性 , 半导体碳纳米管薄膜晶体管具有小的暗电流 , 碳纳米管–石墨烯复合 光探测器发挥了两种材料的优势, 为今后高性能宽谱光电探测器的制备奠定了基础。 关键词 碳纳米管 ; 石墨烯 ; 光电探测器 ; 复合 中图分类号 TN362; TN386 Hybrid CNT Film-Graphene Photodetectors with Low Noise and Broadband LI Zishen, LIU Yang, XU Haitao, WEI Nan, YU Dangmin, WANG Sheng† Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nano Devices, Department of Electronics, Peking University, Beijing 100871; † Corresponding author, E-mail: shengwang@pku.edu.cn Abstract Highly purified semiconducting carbon nanotube (CNT) thin films and graphene are used to fabricate hybrid photodetector. The results indicate that the hot carriers generated in graphene can tunnel into bottom CNT film through nanometer thick silicon film when illuminated. As a result, electrons and holes are accumulated at separated side of the silicon layer, resulting in a modulation of the current in the CNT film transistor due to the photogating effect. The photodetector shows a responsivity of 83 mA/W fo