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Bump i ng凸块技术与工艺介绍 Sputter 原理 在充入少量Ar的Stepper腔内。耙材是阴极，Wafer是阳极。当极间电压很小时， 只有少量离子和电子存在；电流密度在10 ’ A/era数量极，当阴极（靶材）和 阳极间电压增加时，带电粒子在电场的作用下加速运动，能量增加，与电极或中 性气体原子相碰撞，产生更多的带电粒子；直至电流达到10 A/era数量极，当 电压再增加时，则会产生负阻效应，即“雪崩”现象。此时离子轰击阴极，击出 阴极原子和二次电子，二次电子与中性原子碰撞，产生更多离子，此离子再轰击 阴极，又产生二次电子，如此反复。当电流密度达到0. 01A/era数量级左右时， 电流将随电压的增加而增加，形成高密度等离子体的异常辉光放电，高能量的离 子轰击阴极（靶材）产生溅射现象。溅射出来的高能量靶材粒子沉积到阳极（Wafer） 上，从而达到溅射的目的。 在磁场的作用下，电子在向阳极运动的过程中，作螺旋运动，束缚和延长了 电子的运动轨迹，从而提高了电子对工艺气体的电离几率，有效地利用了电子的 能量，因而在形成高密度等离子体的异常辉光放电中，正离子对靶材轰击所引起 的靶材溅射更加有效。同时受正交电磁场的束缚，电子只有在其能量消耗尽时才 能落在玻璃上，从而使磁控溅射具有高速、低温的优点。 Stepper腔体结构moving tray— Stepper腔体结构 moving tray— Plasma++ _ Wafer * w/INDUCED SURFACE ?Sputter 与 BUMP 的关系： Bump ing丄艺是一种先进的封装工艺，而Sputt er是Bump i ng丄艺的第一道 工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影响Bumping的质量， 所以必须控制好Sputter的膜厚及均匀性是非常关键。 ?UBM层厚度与元件功能的原理： 1、 功率：功率越大膜层（UBM层）越厚 2、 时间：时间越长膜层越厚 可以通过调节这两个因素来控制膜厚（UBM层厚度）， 使溅射出的膜层厚度达到客户要求。 当前凸块工艺采用的UBM层结构种类: 序号 类型 UBMith UBM2th 1 Gold bump TiW/3000A Au /1000A 2 Pillar bump Ti/1000A Cu/4000?8000A 3 Solder bump Ti/1000A Cu/4000A 4 Etch bump TiW/2000A Cu/10000A 1、表面质量控制：溅射好的Wafer应平整光亮，要避免擦伤、金属 1、表面质量控制：溅射好的Wafer应平整光亮，要避免擦伤、金属 UBM 三、光刻工艺 光刻工艺原理： 通过光刻将光刻版上的图形印刷到Wafer上，首先要在Wafer 上涂上一层感光胶，在需要开口的地方进行髙强光线曝光(紫外 线)，让光线通过，然后在经过显影，将开口处的胶去掉，这样 就可以得到我们所需要的CD开口。 所谓的CD (criditle-dimensions)也即光刻的开口。 光刻工序中的曝光和显影它有着照相的工艺原理。 光刻工艺流程 光刻工艺流程 ^显影 ^ 显才佥 涂胶后显影后 涂胶后 显影后 镋子光源 过滤器 聚集镋片掩膜版缩影镋片 晶片圆片CHUCK 台\/、 / 镋子 光源 过滤器 聚集镋片 掩膜版 缩影镋片 晶片 圆片 CHUCK 台 \ / 、 / 光刻版 圆片 CHUCK台 光刻版 接近式 接触式 曝光方式有三种 ?接触式曝光:解晰度好，但掩膜版易被污染（Karl Suss光刻机） ?接近式曝光:解晰度降低，但掩膜版不易被污染（Karl Suss光刻机） ?投影式曝光:解晰度好，并且掩膜版不易被污染（Stepper光刻机） 在Bumping生产中，一般采用接近式曝光和投影式曝光两种方式. 1、正胶版： 光刻版出现的白区，透过光照后，与胶发生光学反应，再 通过感光胶的反应（显影液），得到所需要的CD幵口区。 光刻版与光刻胶的关系: 2.负胶版 光刻版出现的黑区与正胶版相反，透过光的区域不会被显影掉，未透光的区 域与胶发生化学反应（显影液），将需要的光刻胶留在Wafer表面， 负胶的作用：一般用来对芯片起表面保护作用、压点转移、重新布线开口。 针对Bump与Bump之间间距很小或汪S尺寸要求放大或缩小时 目录 一、 来料 Wafer 二、 溅射工艺 三、 光刻工艺 四、 电镀工艺 五、 目前公司产品类型 当前光刻胶使用种类: 序号 光刻胶 名称 光刻胶型号 匹配用显影液 用途 备注 1 正胶 TOK P-CA100 TOK P-7G 常规产品CD开口 将要淘汰 2 正胶 AZ P4620 AZ400k 量产批CD开口 3 负胶 PIMEI 1-8124ER Polyimide AZ