NaIT1单晶γ能谱仪07300300096郭丽芳NaIT1单晶γ能谱仪.DOCVIP

NaI（T1）单晶γ能谱仪实验 07300300096 郭丽芳 NaI(T1)单晶γ能谱仪实验 07300300096 郭丽芳 摘要：本实验的重点是NaI(T1)单晶γ能谱仪的调整方法及γ能谱仪的调整方法及测量γ射线的能谱。首先分析γ射线的能谱，然后测量谱仪的性能和标定它的能量定标曲线，最后用卡全能峰的方法求Pb对射线的质量吸收系数以及散射截面。 关键词：γ能谱图 能量定标 能量分辨率 质量吸收系数 散射截面 一 原理 1 γ射线与物质相互作用的一般特性 γ射线与物质相互作用时，可能产生三种效应：光电效应、康普顿散射效应及电子对效应。这三种效应都将产生次级电子，如图1所示： 图1 γ射线与物质相互作用的示意图 在光电效应中，次级电子的能量为： Ee=Eγ-Ei≈Eγ=hν 在康普顿散射效应中，反冲电子的能量为 Ee =αEγ(1-cosθ)/[1+α(1-cosθ)] 式中α= Eγ/m0c2当θ从0到180°变化时，反冲电子的能量也从0到2αEγ/(1+2α)连续变化。 当γ光子的能量大于2 m0c2（即1.022MeV）时，γ光子在原子核或电子的库伦场的作用下，可能转化为正、负电子对。由于正电子的寿命很短，当动能耗尽时便与物质原子的轨道电子发生湮没，与此同时产生两个运动方向相反、能量均为0.511MeV的γ光子。 2 γ能谱仪 γ能谱仪由γ能谱探头（由闪烁体与光电倍增管组成）和电子仪器（包括射级跟随器、线性放大器、多道分析器）两部分组成，如图2所示： 图2 NaI（T1）闪烁探测器示意图 能谱仪的具体工作过程可以总结为一下几个步骤：(a) 射线进入闪烁体，与之发生相互作用，闪烁体吸收射线产生的次级电子能量而使闪烁体原子、分子电离和激发；(b) 激原子、分子退激时发射荧光光子；(c) 利用反射物和光导将荧光光子尽可能多地收集到光电倍增管的光阴极上，由于光电效应，光子在光阴极上击出光电子；(d) 光电子在光电倍增管中倍增，数量由一个增加到104~109个，电子流在阳极负载上产生电信号，输出电压脉冲，荧光光强与γ光子在闪烁体内消耗的能量成正比，而荧光光强又与光电倍增管阳极上输出的电压脉冲的幅度成正比，可以根据脉冲幅度确定γ光子的能量；(e) 阳极输出电压脉冲经射级跟随器后，输出到线性放大器，再输入到多道脉冲分析器，就可以看到能谱图。 3 能量分辨率 一个单能的γ光子与闪烁体相互作用时，闪烁体内发出的荧光光子数是有统计涨落的，光电倍增管的光阴极发射的电子数也是有统计涨落的，再加上电子系统的噪声输出的脉冲幅度不是一个固定值，而是有涨落的，即γ能谱图上的全能峰不是线状的，而是有一定的宽度。我们把全能峰的半宽（即峰顶两侧半高点间的距离ΔVp）与峰高（Vp）的比值，定义为γ能谱仪在全能峰处的能量分辨率η，即 η=ΔVP/VP=ΔE/E= Δ CH/CH(%) 由于能量分辨率与γ粒子的能量大小有关，所以在γ能谱仪中，规定以137Cs的全能峰的能量分辨率作为能谱仪的能量分辨率。 4 散射截面、吸收系数和质量吸收系数 4.1 散射截面 单个粒子的散射截面σ定义为 σ=散射通量/单位面积的入射通量 4.2 吸收系数 设单位面积的入射通量为I0；I（x）为入射束进入到物质内深度为x处时的粒子通量。则有 I（x）= I0 e-σnx 设P（x）为在长度x内的散射概率，则有 P（x）=1-e-σnx=1-e-κx 其中的κ=σn 为吸收系数，n为散射中心密度，当以电子为中心时，n=ρN0Z/A（N0是阿伏伽德罗常数6.023*1023，Z和A分别是原子序数和质量数） 4.3 质量吸收系数 质量吸收系数定义为 μ=κ/ρ 所以入射束中未被吸收的部分为 I/ I0= e-μξ 二 实验 实验仪器与材料：XJ4312型二踪示波器、放大器、高低压电源、FJ-374型γ能谱探头、137Cs放射源、60Co放射源、22Na放射源 首先是连接好电路，将高压设置为750V，以137Cs作为放射源，用示波器观察光电倍增管的射级跟随器的输出波形，接着将高压设置为450V，用示波器观察脉冲线性放大器的输出波形。然后用137Cs源标定γ能谱仪的量程，即选定脉冲线性放大器的放大倍数，使谱仪的量程为0~1.5MeV；用多道脉冲分析器测量137Cs和60Co的能谱及全能峰处的能量分辨率，由此得到谱仪的能量定标曲线；测量22Na的能谱，由此算出22Na能谱中全能峰和电子对湮灭峰的能量；最后用137Cs和铅片，测量铅的质量吸收系数以及散射截面。 三 实验结果与分析 1 对137Cs能谱图进行分析 137Cs能谱图如图3所示： 图3 137Cs能谱图137Cs发射的γ粒子的能量为0.6616MeV，由于它小于1.02MeV,所以它与NaI（T1）晶体只能发生光电效应和康