协会标准硅外延用四氯化硅中金属杂质含量测定电感耦合.docVIP

PAGE \* MERGEFORMAT 1 协会标准《硅外延用四氯化硅中金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》（讨论稿） 编制说明 工作简况 立项目的及意义 硅外延片是半导体分立元件的基础材料，也是CMOS电路的基础材料之一。四氯化硅是广泛应用于半导体器件的关键原料。硅外延片的电学参数，主要决定于四氯化硅的质量和掺杂量，而四氯化硅的纯度直接影响到硅外延片的质量。硅外延片的质量优劣，直接影响到半导体元器件的成品率和其他质量参数。因此对硅外延用四氯化硅中杂质含量的分析控制是保障产品质量的主要环节。 目前国内生产多晶硅90%以上改良西门子法，副产大量四氯化硅，目前比较有前景的四氯化硅利用方式还有合成硅酸乙酯等有机硅产品、合成气相二氧化硅、提纯为纯度更高的四氯化硅等利用方式。而我国高纯四氯化硅基本依赖进口，也没有相应的国家标准和相对应的分析方法。我公司为了顺应市场需求，通过近些年的工作，生产出质量稳定的高纯四氯化硅，填补了国内空白，替代了部分进口四氯化硅，也开发完成了四氯化硅中杂质成分的分析方法，为保证产品品质，提供了强有力的保障。 目前行业内缺少对硅外延用四氯化硅中金属杂质含量统一的检测方法。无论是四氯化硅生产制造企业还是使用企业，都强烈呼吁一项有效的国家标准来统一硅外延用四氯化硅金属杂质的检测方法，因此硅外延用四氯化硅金属杂质检测方法标准的出台迫在眉睫。 任务来源 根据2