FOXCONN-BGA、LGA的Void零件技术手册.pptVIP

目 錄 1、背景目的 2、BGA和LGA的Void發生的原因。 3、Reflow中的Void形成過程。 4、Void抑制方法的檢驗。 4-1、Reflow Profile和Void的研究 ; 4-2、LGA的Solder Paste和Void的關系; 4-3、LGA Solder Paste印刷和Void的關系。 5、LGA 的Void不良零技朮。 6、BGA變形的原理（參考）。 背景目的 1-1背景： 隨著實裝的高密度化的推進，元件特別是IC、端子等電 極的構造變化顯著。 根據電極的變化，以前的焊接技朮已經不能正確的焊接 元件了，其中最有代表性的是采用LGA、BGA的IC工廠。 LGA、BGA等CHIP元件由開放型焊接向密閉型焊接變化。 LGA、BGA-IC最大的問題是在接合部發生的“Void”。 背景目的 1-2目的： 1、) LGA、BGA-IC不產生Void焊接技朮成為實用化。 2、) 能夠在高密度實裝基板、大型主板上沒有Void 進行實裝，提高接合的可靠性。 零件低面Pad-Viod零技朮 零件低面Pad-Viod零技朮 結 束 * Foxconn Technology Group SMT Technology Development Committee SMT Technology Center SMT 技術中心 LGA和BGA的VOID發生原因 。為防止LGA、BGA的void發生，解開void發生的原理相當重要。 。為防止LGA、BGA的void發生是受錫膏的熔融的變化影響的。 。解開這些變化過程，就可以提出void的對策。 發生原理： 1、因為焊錫表面張力，焊錫向中心部集中。 2、因為表面張力void密閉 3、要排除void抑制焊錫表面張力是很必要的。 浸潤性變慢 1、焊錫向母材的浸潤方向流動。 2、因為這種流動使void密閉。 3、要排除void，提高浸潤性很重要。 加速浸潤性 LGA和BGA的VOID發生原因 膏體溶解的過程 三維的 Void容易排出 二維的 Void不容易排出 REFLOW后的Stand off 高度、焊錫量 0.5mmPitch CSP Void:0.3mmDia Paste:110umm 0.65mmPitch CSP Paste:130umm 模擬回流爐中LGA Solder Past的變化 void改良品 殘渣的流動性高 焊錫融化后助焊劑處于活動狀態 殘渣的流動性小于K2-V錫膏 焊錫融化后助焊劑處于穩定狀態 為了解開實際的LGA、BGA的焊接有必要做模擬。 目前 REFLOW中的void的形成過程 LGA內void的 發生過程 初期融化階段發生細小的-隨著時間變化膨脹.變大 在一定程度上也會有較大的發生（從基材噴出） 一般認為延長溶解時間是不好的對策。 Void抑制方法的檢驗 原因分析的結果，為了防止BGA、LGA發生Void, 要推進以下工作﹕ 1、Reflow Profile 錫膏助焊劑的設計。 2、錫膏印刷 3、 Reflow Profile 的3項目須同時改善， 一個一個改善沒有效果。 溶劑：極性低沸點高 溶劑：極性高沸點低 活性劑：少 活性劑：多 助焊劑設計 無鉛（Ag:3.5%Cu:0.5%)，顆粒小（void顆粒小型化） 無鉛（Ag:3.5%Cu:0.5%)，顆粒大 焊錫合金 薄 厚 印刷量、形狀 升溫速度：慢，Reflow Peak:低，溶解時間：短。 升溫速度：快，Reflow Peak:高，溶解時間：長。 Reflow Profile 的氣體在焊錫完全融化前釋放出來 排出殘留助焊劑及產生的氣體。 抑制焊錫融解速度，使助焊劑和產生 錫膏的融解性及融解速度提高， 對策 及其產生的氣體（水分、溶劑、還原成分不能排出 因融解速度及表面張力殘留助焊劑和產生的氣體留在焊錫中 因為向母劑的融解性不足及焊錫的流動不足殘留助焊劑 發生原理 LGA BGA 材料 Void抑制方法的檢驗 LGA的Reflow Profile和void發生量的檢驗 Reflow Profile的void發生量的檢驗按照 下面3項記錄條件