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硅通孔键合硅片预对准边缘信息采集与处理-计算机测量与控制
计算机测量与控制 ()
.2018.269
设计与应用 犆狅犿 狌狋犲狉犕犲犪狊狌狉犲犿犲狀狋牔 犆狅狀狋狉狅犾 · ·
狆 205
文章编号: ( ) : / / 中图分类号: 文献标识码:
1671 4598201809 0205 05 DOI10.16526 .cnki.11-4762t.2018.09.044 TP23 A
j p
硅通孔键合硅片预对准边缘信息采集与处理
黄春霞,伊锦旺
(厦门理工学院 福建省光电技术与器件重点实验室,福建 厦门 361024)
摘要:研究硅通孔即 ( )键合硅片的预对准边缘信息采集与处理方法; 硅片与标准硅片相比,
TSV throuh-siliconvias TSV
g
有减薄、键合不同心、边缘毛刺多、存在崩边;缺口被填充、内有鼓胶、镀铜等工艺特点,使得传统基于线阵 CCD一维图像采
集与处理预对准方法失败;针对 TSV硅片的特点,把线阵CCD配合扫描运动采集的一维原始图像集拼接获得二维图像,应用二
维图像处理技术提取边缘信息,硅片整周边缘数据用最小二乘圆拟合算法识别出圆心位置,缺口边缘数据用 Houh直线变换识
g
别出缺口两条斜边,其交点定位为缺口位置,从而实现 TSV硅片的自动预对准;实际测量表明,该方法预对准重复性定位精度
小于 20 m、预对准时间少于40s,满足指标需求,为光刻机能够曝光 TSV硅片提供有力支持。
μ
关键词:硅通孔技术;预对准;最小二乘圆拟合;霍夫直线变换
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