用改进嵌入原子法计算！晶体表面能！.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ( 0 $$1 0 ， ， ， LM3 .( KM . 0 +-/-NO $$1 （ ） !$$$F1’$G$$1G( $0 G !’’1F$# +,+ HIJ56,+ 56K6,+ $$1 ,9;P . H9@N . 5M? . 用改进嵌入原子法计算 晶体的表面能! ! ）） ） ） ! ! 张建民 徐可为 马 飞 !）（陕西师范大学物理学与信息技术学院，西安 #!$$% ） ）（西安交通大学金属材料强度国家重点实验室，西安 #!$$’ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$ ! ( $$ ! ( 用改进嵌入原子法（ ）计算了 晶体 个晶面的表面能 结果表明，密排面（ ）的表面能最小 其他晶 )*+) ,- ! . !!! . 面的表面能随其晶面与（ ）晶面夹角的增加而增加，据此可以粗略地估计各晶面表面能的相对大小 给出的几何 !!! . 结构因子的确定方法及结果可以直接用于计算其他面心立方晶体的表面能及其他特性 在 ， 等面心立方薄膜 . ,- +/ 中出现（ ）择优取向或织构的机理是表面能的最小化 !!! . 关键词：改进嵌入原子法，铜，表面能，计算 ： ， ， ， #$!! %!($, %0!$, %0$ #!!$ 自由膜和（ ）取向的 基体上 和 附着膜 ,- !!! 5; +/ ,- !2 引 言 的异常晶粒生长和织构变化进行了实验研究，发现 和 沉积膜均有（ ）和（ ）择优取向 但经 +/ ,- !!! !$$ . ， 及其合金常用作大规模集成电路（ ）和 +3 ,- 456 退火处理后， 和 自由膜的（ ）织构加强 相 +/ ,- !