荣雅君《模拟与数字电子技术》第二章 半导体器件教学材料.pptVIP

第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 一、基本结构——双极型半导体器件 晶体三极管的结构，目前最常见的有平面型和合金型两类(图2-19)。硅管主要是平面型，锗管都是合金型。 平面型 合金型 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 晶体三极管分为NPN型和PNP型两类。 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 二、电流放大原理 晶体管必须满足一定的偏置条件，才能有电流放大作用。 图2-21电路是以NPN型硅三极管接成共射形式（基极回路和集电极回路以发射极作为公共端）的示意图。 由图可见，晶体管的外部偏置条件是：电压源UBB通过电阻RB提供给发射结正向偏置；而电压源UCC通过电阻RC加到集电极，使集电结处于反向偏置。 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 NPN三极管电流方向及各电流的关系 IC ICE ICBO IB IBE IE 共射电流放大系数 表示晶体管的电流放 大作用。（共射形式） 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 结论 晶体管有电流放大作用。 晶体管的发射结正偏，集电结反偏时， 晶体管为电流控制器件（基极电流控制集电极电流） 参加导电的有自由电子和空穴，故又叫双极型晶体三极管 NPN PNP NPN型与PNP型晶体管电流电压的参考方向 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 三