吉林大学物理学院电子线路(梁明理邓仁清)第一章-(精选·公开·课件).ppt

§1-1 半导体的导电特性 半导体： 其导电能力介于导体和绝缘体之间。 特殊性质即电导率可控： 温度 光照 磁场 掺杂质 1.1.2 杂质半导体的导电特性 杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。 一 N型半导体： 在纯净Si中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 所掺入五价元素称为施主 杂质，简称施主 （能供给自由电子）。 右图（2-1） 二. P型半导体： 在纯净Si中掺入三价元素（硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。 所掺入三价元素称为受主杂质，简称受主 §1-2 PN结 ★PN结：采用不同的掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。 1.2.1 PN结的形成 PN结形成过程分解： 1.2.2 PN结的单向导电特性 反向偏置（简称反偏） PN结反偏：P区接低电位（负电位），N区接高电位（正电位）。 三.理想二极管的特性 三.理想二极管的特性 例题：测得放大电路中六只三极管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明他们是硅管还是锗管。 1.3.3 二极管的参数 (1) 最大正向电流IF + i D v D - R 1.3.3 二极管的参数 (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM VRM =0.5VBR 为了保证二极管安全工作： (3) 反向电流IR 1.3.3 二极管的参数 (4) 正向压降VF （硅二极管典型值） （锗 二极管典型值） 导通压降： + i D v D - R (5) 最高工作频率fM 1.3.4 稳压二极管 1. 稳压特性 (a)符号 (b) 伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 ?IZ很大，?VZ很小。 (1) 稳定电压VZ (3) 动态电阻rZ 在反向击穿后两端的实际工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin 2. 稳压二极管主要参数 1.3.4 稳压二极管 (2) 稳定电流IZ 3. 如何稳压 正常稳压时 VO =VZ 限流电阻R的选择： IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 一.限幅电路： 单向限幅电路：如17页图 二.稳压电路 §1.3.5 二极管电路 1.4 半导体三极管 （双极型晶体管） 1.4.1 晶体管的结构及符号 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 平面型结构 1.内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 载流子的传输过程 1.4.2晶体管内载流子的传输过程 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO IB= IB’ - ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数，与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关一般 ? = 0.9?0.99 IE=IB+ IC 载流子的传输过程 根据 ? 是另一个电流放大系数，同样，它也与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关。一般 ? 1 IE=IB+ IC 可得 2. 电流分配关系 或写成 3. 三极管的三种组态 信号源 负载 模拟信号的放大 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； ? 是共射电流放大系数，一般 ? 1 3. 三极管的三种组态 信号源 负载 共基极接法，基极