可借用氢原子模型→类氢模型氢原子基态电子电离能为.PPT

5゜ 作用：与库仑力产生的施主电子波尔半径可达 15 ~ 90?不同，等电子 陷阱俘获电子的波函数局域在 2 ~ 4 ? 左右，因此由?x·?k = π 可知 其波矢将扩展至整个布区 → 间接带隙也可有显著的带间光学跃迁几率 GaP 中的 N 在绿色和红色发光二极管 (LED) 中起重要作用!! § 2.2, 缺陷与缺陷能级 晶体缺陷：晶体中周期排列被破坏的区域；形式包括，点、线、面缺陷 1，点缺陷： 1゜空位：晶格中格点缺失原子处，称为空位 2゜间隙原子：晶格格点间嵌入的原子，称为间隙原子 3゜广义点缺陷：包括置换式杂质和间隙式杂质 4゜点缺陷的形成： 原子热振动 → 能量涨落 → 少数原子具有高能量 → 脱离格点形成缺陷 5゜缺陷的平衡浓度No：对任意T →有No →对应系统的最低能量!!! 第三章 半导体平衡载流子的统计分布 且遵守类似自由电子的方程： 电子波函数的包络（2－3） *对Ⅲ 族取代Si，上述关系也适用于空穴→（采用有效质量近似） 1゜不计晶格介电屏蔽作用：电子绕正电中心运动与氢原子相同（似） 2゜计入晶格介电屏蔽作用：因 Si（Ge）介电常数 εr ～10，介质极化 →施主库仑场被大大削弱， →仅为真空中的 1/ εr 此时以 mn 代替 mo ， ε0εr 代替 ε0 ，可借用氢原子模型 →类氢模型 氢原子基态电子电离能为 （取无穷远处能量为0） 杂质基态电离能为： 非基态为： （2－4）式中的有效质量对 Si，Ge 取： 由下表可见，Ge所得与试验相近；Si差别较大； P As Sb Mn(D) B Al Ga In Mn(A) Ge 0.0120 0.0127 0.0096 0.0092 0.01 0.01 0.011 0.011 0.0089 Si 0.044 0.049 0.039 0.029 0.045 0.057 0.065 0.16 0.034 可见 Ge，Si 中施主、受主杂质电离能并不完全相同，Si 与实验差别明显 原因：杂质不同→ 1゜引入畸变程度不同； 2゜杂质势场不同，Si差别 明显； 3゜未计入杂质的全部影响 H 的等效波尔半径： 以 ，可得： 杂质等效波尔半径： （2－5） 对 → Si 的αi 较小 受正电中心影响大，杂质不同差异大; 均有轨道半径大→波矢限制 区域小 → 局域 态 对GaAs： Ei 更小 ～ αi : 9 nm *结论：轨道半径大的杂质激发态，用类氢模型更合适→此类杂质称为 类氢杂质 → 杂质能级离 Ec 或 Ev 很近 → 浅能级杂质 三. 其他杂质、深能级杂质 1.定义：除Ⅲ、 Ⅴ族元素，其它杂质在 Si，Ge 中产生的施