纳米电子学-绪论.pptVIP

第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--漏电流的功率 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--非均匀性 若MOSFET栅长50nm,栅宽100nm，如果沟道载流子数目为2＊1012/cm2,沟道中平均有100个电子。 如果存在单个杂质涨落，引起沟道电导变化为实际电导的40％。 这是非常显著的涨落。 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--介质厚度 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--精度和价格 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--从业要求 经典电子学的困难和问题涉及范围很广，需要综合考虑各方面因素。要解决这些问题，需要： ?采用新材料和新结构 –高k介质、应变硅沟道、金属栅 –铜互连、低k介质 –双栅、环栅结构 ?充满创新机遇、知识基础转变 –需要更多的量子力学知识(量子化、隧穿) –需要介观物理的知识（弹道、噪声） –需要更强的计算、模拟、仿真能力 –更先进的检测方法和技术 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--是否有极限？ ?信息技术的需求推动发展更小的器件 ?面对集成电路不断发展，必须要考虑这样的问题： -传统器件的工作原理是否可以外推到更小空间和时 间尺度的器件？ -量子效应或技术障碍是否阻止目前工作原理的器件尺度进一步下降？ 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--极限预测 ?Silico