mse-13-精选（公开课件）.pptVIP

矽石玻璃（silica glass） 熔融矽石（fused glass） 玻璃狀矽石（vitreous glass） SiO44-四面體形成網路 其他氧化物：B2O3、GeO2 網路成形劑（network former） 劑：經調配而成的藥品或化學製品 網路修飾劑（network modifier）：CaO，Na2O 陽離子修飾SiO44-網路 網路中間劑（intermediate）：TiO2，Al2O3 ：陽離子取代Si，穩定劑 修飾劑與中間劑 降低熔點與黏滯性（viscosity） 使玻璃較易於在低溫形成 增加流動性 BPSG，PSG SG：silicate glass 矽酸鹽類（silicates） SiO44-四面體之1、2或3角氧原子與其他四面體共享 SiO44-，Si2O76-，Si3O96-，（SiO3）n2n- Ca2+，Mg2+，Al3+ 補償負電荷 離子鍵鍵合 單純矽酸鹽類（simple silicates） Mg2SiO4，Ca2MgSi2O7 層狀矽酸鹽類（layered silicates） SiO44-四面體之3角氧原子與其他四面體共享 Si2O52- 電中性：過量陽離子 黏土 層狀矽酸鹽類 高嶺土（kaolinite）；景德鎮 Al2 Si2O5 (OH)4 Al2 (OH)42+ 各層：離子鍵 層間：Van der Waals鍵 碳 鑽石（diamond） 石墨（graphite） 巴克球（Buckminster Fullerene） 奈米管（nanotube） 陶瓷材料缺陷 原子點缺陷 陰離子大，不易佔填隙原子位置 陰離子空位，陽離子空位、填隙原子 雜質 缺陷結構 形式（type）與濃度（concentration） 電中性 Frenkel缺陷：陽離子空位與填隙原子對 Schottky缺陷：陽離子空位與陰離子空位對 化學計量（stoichiometry）非計量關係（non-stoichiometric）：Fe1-xO 雜質 填隙原子：離子半徑小 替代雜質：電性相似 電中性 離子大小與電荷 缺陷補償：維持電中性 陶瓷材料相圖 Al2O3-Cr2O3系統 MgO-Al2O3系統 ZrO2-CaO系統 SiO2- Al2O3系統 Al2O3-Cr2O3系統 完全互溶 電荷相同 離子半徑近似：Al（0.053 nm），Cr（0.062 nm） 晶體結構相同 MgO-Al2O3系統 Pb-Mg系統 中間相（MgAl2O4，spinel尖晶石） Mg2+（0.072 nm） Al3+（0.053 nm） ZrO2-CaO系統 CaZrO3 一共晶點，二共析點 ZrO2：三相（正方、三斜、立方） 正方至三斜：體積改變大，裂隙 3-7 wt.% CaO：立方 1000 0C，正方+立方，冷卻 部份穩定二氧化鋯（partially stabilized zirconia ，PSZ） Y2O3，MgO：穩定劑 * * 第十三章 陶瓷材料結構與性質（Structures and properties of ceramics） 陶瓷材料結構 機械性質 ? 兩河流域 中國 新石器時代 ~10,000 B.C. ~10,000 B.C. 陶器時代 ~7,000 B.C. ~7,500 B.C. 銅器時代 ~4,000 B.C. ~2,000 B.C. 鐵器時代 ~1,000 B.C. ~500 B.C. ceramics: keramikos，燒過的物質（burnt stuff） 焙燒（firing） 傳統陶瓷：陶瓷器、瓷器、磚、瓦、地磚、玻璃、高溫陶瓷 功能陶瓷：電子、計算機、通訊、航太 陶瓷材料結構 離子、共價鍵 晶體結構 離子鍵結構材料 陽離子（cation） 陰離子（anion） 離子電荷、大小 電中性（CaF2，Ca2+，2F-1） 陽離子一般較陰離子小 陽離子傾向有最多最靠近陰離子 陰離子為陽離子所包圍 rC/rA 0.155：配位數2，線性 0.155-0.225：配位數3，平面正三角性 0.225-0.414：配位數4，四面體 0.414-0.732：配位數6，八面體0.731-1：配位數8，立方體 AX型晶體結構 A：陽離子 X：陰離子 岩鹽（rock salt）結構 氯化銫（cesium chloride，CsCl）結構 閃鋅礦（zincblende，ZnS）結構 AmXp結構 CaF2 UO2, PuO2, ThO2 AmBnXp 結構 BaTiO3 緊密堆積陰離子晶體結構 填隙原子位置 四面體（tetrahedron, T）：N =4 八面體（Octahedron, O）：NaCl，N = 6 陶瓷材料密度計算