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变温霍尔效应实验报告 　　变温霍尔效应　　摘要：本实验采用范德堡测试方法，利用由控温仪、恒温器、电磁铁、恒流电源、电输运性质测试仪和装在恒温器内指上的锑化铟，碲镉汞单晶样品等组成的VTHM—1型变温霍尔效应仪首先测量室温条件下的电流和磁场不同方向的霍尔电压，又通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍尔系数，得到并分析了实验与理论对比的lnRH?1/T曲线. 关键词：霍尔效应 半导体 载流子 霍尔系数 一：引言　　对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这个现象于1879年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，至今仍然是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。在本实验中，采用范德堡测试方法，测量样品霍尔系数随温度的变化。 二:实验原理　　 半导体内的载流子　　半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质电离 本征激发　　在一定温度下半导体产生自由电子和空穴，半导体内的两种载流子：自由电子和空穴的产生过程叫做本征激发，与导带和价带有效能级密度，导带底和价带顶的能量温度等有关，确切地说与禁带宽度和温度以及波尔兹曼常数有关。 杂质电离　　绝大部分的重要半导体材料都含有一定量的浅杂质，它们在常温下的导电性质，主要由浅杂质决定。从能带角度来看，就是价带中的电子激发到禁带中的杂质能级上，使硼原子电离成硼离子，而在价带中留下空穴，参与导电，这种过程称为杂质电离。由受主杂质电离提供空穴导电的半导体叫做P型半导体，由施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做N型半导体。 载流子的电导率　　图片已关闭显示，点此查看 　　图片已关闭显示，点此查看  　　霍尔效应示意图??nq?n?pq?p　　2-2-1 　　其中n和p分别表示电子和空穴的浓度，q为电子电荷，?n和?p分别为电子和空穴的迁移率，可见电导率决定于两个因素，载流子浓度和迁移率，图1所示为半导体浓度随温度变化的规律，分为三个区域：B点右侧：杂质部分电离的低温区;A、B之间：杂质电离饱和的温度区；A点左侧：产生本征激发的高温区。　　 霍尔效应 图1 半导体电导率与温　　霍尔效应　　度的关系　　霍尔效应是一种电流磁效应，如图2所示：　　当样品通以电流I，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍尔电位差：　　UIB　　H?RH　　d　　，2-3-1 UH与样品厚度d成反比，与磁感应强度B和电流　　I成正比。比例系数RH叫做霍尔系数。霍尔电位　　差是洛伦兹力和电场力对载流子共同作用产生的结果。　　 一种载流子的霍尔系数　　P型半导体：R??1　　H??　　???H??p??　　pq， 2-3-2 N型半导体：R????1　　H???Hpq　　，2-3-3　　??n?式中n和p分别表示电子和空穴的浓度，q为电子电荷，?n和?p分别是电子和空穴的电导迁移率，?H为霍尔迁移率，?H?RH?。 两种载流子的霍尔系数　　假设载流子服从经典的统计规律，在球形等能面上，只考虑晶体散射及弱磁场　　的条件下，对于电子　　3?p?nb2　　和空穴混合导电的半导体，可以证明RH? 2-4-1　　8?p?nb?2　　其中b??n　　?p。　　 P型半导体的变温霍尔系数　　P型半导体与N型半导体的霍耳系数随时间变化曲线对比如图3所示。　　图片已关闭显示，点此查看 　　图片已关闭显示，点此查看  　　三：实验 实验仪器 　　VTHM－1型变温霍耳效应仪，如图4所示　　图3 P型半导体和N型半导体的ln|R|—1/T曲线　　 实验方法　　图4 变温霍尔效应系统示意图　　本实验采用范德堡法测量单晶样品的霍耳系数，其作用是尽可能地消除各种副效应。 考虑各种副效应，每一次测量的电压是霍耳电压与各种副效应附加电压的叠加，即 UH1?UH实?EE?EN?ERL??E 其中，　　3-2-1　　UH实　　表示实际的霍耳电压，　　EE、EN和ERL分别表示爱廷豪森效应、能斯特效应、　　和里纪－勒杜克效应产生的附加电位差，?E表示四个电极偏离正交对称分布产生的附加电位差。　　设改变电流方向后的测得电压为　　UH2，再改变磁场方向后的测得电压为UH3，再改变电流　　UH2??UH实-EE?EN?ERL-?E　　H3　　方向后的测得电压为　　UH4，则有U　　?UH实?EE-EN-ERL-?E　　UH4??UH实-EE-EN-ERl??E　　所以有　　1　　?UH1?UH2?UH