【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程知识分享.pptVIP

電子系學程簡介半導體學程電子元件學程VLSI 設計學程 /sundae_meng IC 的發展史 世界上第一個電晶體(1948, Bell Lab) 1947年聖誕前夕, ATT 的 Bell 實驗室的 John Bardeen 及 Walter Brattain 展示第一個由鍺所製成的點接觸式電晶體. 當電流訊號施加於鍺晶體接點, 輸出功率會大於輸入功率. 並於1948年公諸於世. 1949年 William Shockley 發表雙載子電晶體運作理論. 並預測接面式雙載子電晶體(BJT)將出現. 1950年第一個單晶鍺電晶體生產, 並取代電子產品中的真空管. 1952年Gordon Teal發表第一個單晶矽電晶體. 1955年 Shockley 在舊金山南方成立 Shockley Semiconductor Lab. 帶動矽谷的成立. 1956年 Shockley, Bardeen, Brattain 共同獲頒諾貝爾物理獎. 1957年, Gordon Moore 和 Robert Noyce 離開 Shockley 公司, 成立 Fairchild Semiconductor 公司. 1958年積體電路時代來臨 (整個五O年代為分離式IC元件的天下). 1966年, Gordon 和 Robert 離開 Fairchild 並創立 Intel (濃縮