模拟电子技术张学军第3章场效应管及其基本.ppt

第3章 场效应晶体管及其放大电路 3.1 场效应晶体管 3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路 3.3 场效应管放大电路 3.1 场效应晶体管 3.1.1 结型场效应管 结型场效应管是利用半导体内的电场效应进行工作的，也称为体内场效应器件。 结型场效应管(Junction Field Effect Transistor)简称JFET，有N沟道JFET和P沟道JFET之分。图3.1.1给出了JFET的结构示意图及其表示符号。 如图3.1.2所示。D-S间加正向电压UDS，G-S间加反向电压UGS。 在UDS作用下，电子从S→D，形成ID；而UGS0→PN结反偏→IG≈0，所以IS≈ID。 图3.1.2栅源电压UGS对沟道及ID的控制作用示意图 (a) UGS =0，沟道最宽，ID最大；(b) UGS负压增大，沟道变窄， ID减小；(c) UGS负压进一步增大，沟道夹断， ID =0 三、特性曲线 （一）转移特性曲线 定义：在UDS一定时，uGS对iD的控制作用，即 在N沟道JFET中，PN结必须反偏，即uGS0。 （二）输出特性曲线 定义：在UGS一定时，iD与uDS的关系，即 3.1.2 绝缘栅场