5G除了将带来工艺问题,还存在着测试挑战.docVIP

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  • 2018-11-10 发布于江苏
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5G除了将带来工艺问题,还存在着测试挑战.doc

5G除了将带来工艺问题,还存在着测试挑战

5G除了将带来工艺问题,还存在着测试挑战   在我们真的看到5G网络和手机以前,半导体晶圆厂必须先改变其制造晶圆的方式,测试工程师需要搞清楚如何进行测试,还有,手机设计人员也得知道如何随着人们的移动而追踪控制波束。除此之外,无线产品还必须能以接近当前可负担的价格销售。这些都是日前在2018年国际微波会议(2018 International Microwave Symposium;IMS)中一场5G高峰会(5G Summit)的与会者提出的看法。   尽管目前已经有一些5G芯片陆续出现了,但究竟要采用什么工艺技术来生产功率放大器(PA)和相控数组天线,至今仍不明朗。针对PA,参与“智能型手机的毫米波无线:在未来2、5、10年…”(mmWave Radios in Smartphones: What they will look like in 2, 5, 10 years)专题讨论的成员们讨论了所谓的“IV族”工艺———如硅晶CMOS和锗,以及“III-V族”工艺——包括磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)等。IV族是指周期表(Periodic Table)中第14行的元素,而III-V族则是第13和15行的元素。      Harish Krishnaswamy在IMS 5G Summit上回答与会观众的提问   美国国家标准与技术研究院(National Institute o

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