北京航空航天大学《电子电路i》第一章11-12zqv2012.ppt

* 复合（空间电荷区）-内建电场（接触电位差）-漂移-平衡 * 北京航空航天大学202教研室 * 1.2.3 PN结和二极管 在PN结上加欧姆接触电极引出管脚便构成晶体二极管欧姆接触：通过隧道效应，消除金属半导体势垒的接触方式 引线 外壳 触丝线 基片 点接触型 P N 二极管的电路符号： 面接触型 一、二极管的结构 * 北京航空航天大学202教研室 * 1. 二极管的电阻 直流等效电阻 RD： 交流（动态）电阻 rd： 二、二极管的参数 * 北京航空航天大学202教研室 * 二极管的交流小信号模型（微变等效电路） 采用恒压降模型： * 北京航空航天大学202教研室 * 2 二极管的结电容 二极管结电容CJ包括势垒电容CT和扩散电容CD 即：CJ=CT＋CD 势垒电容CT 反偏电压变化引起耗尽区厚度变化，从而引起PN结中的电荷量变化，这种电容效应称为势垒电容。 式中：CT 表示势垒电容数值； Q 表示PN结的电荷量； vD 表示二极管的偏置电压 * 北京航空航天大学202教研室 * 突变结CT与反偏电压的关系式： (n=0.5) 式中：CT(0) 表示vD=0时 的势垒电容。 Vφ 表示接触电位差 图1.2.9 变容管及其动态特