《晶体生长基础》精选课件.pptVIP

6.1 晶体生长过程 6.1.2 晶体生长过程和形状 6.1.3 完整晶面生长 6.2 晶体生长的热量输运 6.3.4 界面的稳定性 1. 温度梯度对界面稳定性的影响 二、胞状界面和胞状组织 （c）由于熔体的凝固点随溶质浓度的增加而降低，溶质富集导致沟槽加深，在一定的工艺条件下，界面形成稳定的形状。 （d）稳定的胞状界面稳速向熔体推移形成晶体。这种情况下长出的晶体溶质分布不均匀。网状沟槽处溶质浓集，胞体中心处贫乏，晶体中，溶质浓集的边界将晶体划分成许多六角柱体。这种由浓集的溶质勾划的亚组织称胞状组织。 对于K01的熔体系统，仍会产生胞状界面和胞状组织，只不过是沟槽内溶质贫乏，胞体中心溶质浓集。 6.4 晶体生长与相平衡关系 氟化物调谐激光晶体是近来固体激光材料领域中异常活跃的研究方向。为了获得激光晶体Cr3+:LiCaAlF6 和Cr3+:LiSrAlF6的生长所需要的体系相平衡的基础数据，通过差热分析和X射线粉末衍射分析方法，本项目研究了三元系统 LiF-CaF2-AlF3 和 LiF-SrF2-AlF3 的相平衡关系，首次获得了若干赝二元系相图。结果表明，赝二元系在LiF：Ca(Sr)F2：AlF3 = 1：1：1 组成处形成一致融熔化合物 LiCa(Sr)AlF6，分别与两侧组分形成共晶体系。这些研究结果直接为上述激光晶体的原料配比提供了依据，且为改进晶体生长质量提供了材料化学基础。 5、LiF-Ca（Sr）F2-AlF3系统相图的研究 项目来源：国家自然科学基金项目 项目简介： [1] ??? Hongbing Chen, Shiji Fan, et al. Phase equilibria of pseudo-binary systems LiF-CaAlF5 and LiF-SrAlF5. J. Crystal Growth , 2001, 235(1-4): 596 （IF: 1.75） 复 习 题 运用非均相成核理论来分析区熔法中界面形状对晶体生长的影响？ 什么是自然对流？什么是强迫对流？它们是如何形成的？它们对晶体生长有什么影响？ 什么是分凝系数？据式（3-5）分析晶体生长过程中工艺参数与溶质分布的关系。 试述组分过冷的形成过程，据式（3-11）分析晶体生长过程中组分过冷与工艺参数的关系？ 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 插入您所在国家/地区的地图。 上一内容 下一内容 回主目录 返回 * 6.1 晶体生长基本过程 6.2 晶体生长的热量输运 6.3 晶体生长的质量输运 6.4 晶体生长与相平衡关系 第六章 晶体生长基础 6.1.1 晶核的形成 气相、液相（溶液或熔体）、固相物质通过相变可以形成晶体。相变时，先形成晶核，然后再围绕晶核慢慢长大。 自发产生晶核的过程称为均匀成核；从外界某些不均匀处(如容器壁或外来杂质等)产生晶核的过程称非均匀成核。 1、均匀成核 均匀成核指在理想体系中各处有相同的成核几率。实际上某一瞬间由于热起伏，局部区域里分子分布可能出现不均匀，一些分子可能聚集成团而形成胚芽，而在另一瞬间这些胚芽也可能消失。 据热力学计算，当胚芽半径r大于晶核临界尺寸r0时，就可以稳定的继续长大，不会自行消失。因为当r＞＞ r0时，胚芽的自由能△F的改变就明显降低，且胚芽越大，△F越小。 自由能变化与 胚芽半径的关系 △F（自由能） △F极大 r0 r 这种稳定的胚芽称为晶核。反之，当胚芽r＜ r0时，胚芽可能自行消失。通常单位表面能小的晶面围成的晶核出现的几率较大；核化速率随结晶潜热增加而变快；改变生长条件如降低温度、增加过冷度也可增加核化速率。 1、均匀成核 据均匀成核理论计算，水汽凝华的临界饱和比为4.4，水凝固的临界过冷度为40℃，某些金属凝固的临界过冷度达100~110 ℃。 实际上，成核的过冷度和过饱和度并不需要那么大。因为在通常的生长系统中总是存在不均匀的部位（如容器壁、外来的微粒等），它有效降低了成核时的表面位垒，使晶核优先在这些不均匀部位形成。 例如：人工降雨就是在饱和比不大又不能均匀成核的云层中，撒入碘化银细小微粒，就能形成雨滴。 2、非均匀成核 在区熔法制备单晶的过程中，