黄铜矿型半导体材料CuAlX2X=SSeTe的电子-IngentaConnect.PDF

物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) December Acta Phys. -Chim. Sin . 2011, 27 (12), 2805-2813 2805 [Article] doi: 10.3866/PKU.WHX 黄铜矿型半导体材料CuAlX2 (X=S, Se, Te)的电子结构和光学性质 周和根1 陈 虹1 陈 懂1 李 奕1,2 丁开宁1 黄 昕1,3 章永凡1,* 1 2 ( 福州大学化学化工学院, 福州350108; 福建省光催化重点实验室—省部共建国家重点实验室培育基地, 福州350002; 3 结构化学国家重点实验室, 福州350002) 摘要: 采用基于赝势平面波基组的密度泛函理论方法, 研究具有黄铜矿结构的CuAlX2 (X=S, Se, Te) 晶体的 电子结构, 并预测了它们的线性和非线性光学性质. 结果表明: 这些化合物具有相似的能带结构, 带隙随X 原子 从S→Se→Te 依次减小. 三种晶体的静态介电常数、静态折射率和静态倍频系数d36 的变化情况与带隙的变化 相反, 随着X 原子自S→Se→Te 改变依次递增, 但静态双折射率依次递减. 该系列化合物的倍频效应主要来源 于价带顶附近的占据能带向以Al 和X 原子的p 电子态为主要成分的空带之间的跃迁. 在三种晶体中, CuAlTe 2 除静态双折射率偏小外，其它光学性能要优于CuAlS 和CuAlSe . 2 2 关键词: 密度泛函理论; 电子结构; 光学性质; 二阶倍频效应; 黄铜矿 中图分类号: O641 Electronic Structures and Optical Properties of CuAlX2 (X=S, Se, Te) Semiconductors with a Chalcopyrite Structure ZHOU He-Gen1 CHEN Hong1 CHEN Dong1 LI Yi1,2 DING Kai-Ning1 HUANG Xin1,3 ZHANG Yong-Fan1,* 1 ( College of Chemistry and Chemical Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, P. R. China; 2State