以沉淀白炭黑为硅源制备硼掺杂碳化硅的研究.PDFVIP

第 45 卷第 6 期 应 用 科 技 Vol.45 No.6 2018 年 12 月 Applied Science and Technology Dec. 2018 DOI: 10.11991/yykj.201803006 网络出版地址： /kcms/detail/23.1191.u1034.002.html 以沉淀白炭黑为硅源制备硼掺杂碳化硅的研究 1 1 1 1,2 1,2 李梓烨，高峰，安子博，薛俊 ，曹宏 1. 武汉工程大学 材料科学与工程学院，湖北 武汉 430074 2. 湖北省环境材料与膜技术工程技术研究中心，湖北 武汉 430074 摘 要：为低成本、规模化制备高比表面积碳化硅,以工业级沉淀白炭黑为硅源，葡萄糖粉剂为碳源，采用简单的碳热还原法 制备了硼掺杂高比表面积碳化硅。利用X 射线衍射仪、扫描电镜、比表面积测试仪和紫外−可见吸收光谱测试方法对碳化 硅的晶型、形貌、表面性质及能带结构进行了表征。分析结果表明：B 原子进入SiC 晶格并取代Si 点位，在 1 350 ℃焙烧 温度时，SiC 具有最高比表面积和较低禁带宽度，随着B/Si 摩尔比增大，SiC 结晶度提高，比表面积减小，禁带宽度减小。 关键词：碳热还原法；硼；掺杂；β-SiC；沉淀白炭黑；高比表面积；禁带宽度；葡萄糖 中图分类号：O643 文献标志码：A 文章编号：1009−671X(2018)06−0092−05 Preparation of the B-doped SiC using precipitated silica-white as silicon source 1 1 1 1,2 1,2 LI Ziye , GAO Feng , AN Zibo , XUE Jun , CAO Hong 1. School of Materials Science and Engineering, Wuhan Institute of Technology, Wuhan 430074, China 2. Engineering Research Center of Environmental Materials and Membrane Technology of Hubei province, Wuhan 430074, China Abstract: Boron-doped SiC with high specific surface area was prepared by a simple carbothermal reduction method using industrial-grade precipitated silica-white and glucose powder as carbon and silicon sources respectively. It provides an effective method for low cost and large-scale preparation of SiC with high specific surface area. The crystal structure, morphology, surface property and