半导体第五讲硅片清洗4课时.ppt

清洗材料—高纯度、低杂质、无污染 高纯度的化学品叮降低微粒和金属杂质的污染。采用无氧超纯水〔oxygen free ultrapure water)洗涤可避免自然氧化物的生成。用臭氧冷冻去离子水取代SPM，可以减少化学品的用量及化学废液量，降低 清洗成本及保护环境。开发单一清洗配方(Cleaning formular)达到RCA不同化学溶液清洗效果，得到超洁净、无微粒污染、无金属离子污染，无表面微粗糙的晶片表面，如美国的J. T. Baker开发了“Dublin单一清洗配方，该配方尚在实验验证阶段，可望将来能取代复杂的RCA清洗。 * 清洗工艺—快速、简洁的清洗程序 开发清洗循环短、清洗效率高、产能大的清洗工艺，如无化学品的晶片清洗工艺。如图所示为美国RSC公司的光子惰性气体清洗工艺技术(photon inert gas cleaning)示意图，该技术是一种无化学污染、低成本、无环境污染的超洁净的无水干式清洗。 * 2.喷洗式单箱化学清洗机(spraychemical cleaning processor) 这种清洗方式是将晶片放在清洗槽内的转盘上，新鲜的清洗用化学溶液经N2加压、通过喷洗柱(spray post)均匀喷淋在晶片上作为化学清洗及超纯水洗涤，转盘按照清洗程序所设定的转速转动，根据不同的清洗循环(cycle)自动变化，以达到最佳的清洗效果。每一循环结束后，喷