非平衡载流子产生与复合.pptxVIP

赵君20110702125 余洋20110702126 石兰20110702127;处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。 （1）非平衡载流子的产生：非平衡状态的半导体有两种情况，一种是比平衡载流子多出了一部分载流子，为注入情况；另一种是比平衡载流子缺少了一部分载流子，为抽出情况。 （2）非平衡载流子的寿命：在没有外界作用时，所多出的载流子——非平衡载流子将要复合而消失（半导体恢复到平衡状态），非平衡载流子的平均消失时间就是载流子的“复合寿命”；相反，对于缺少了载流子的半导体，将要产生出载流子、以恢复到平衡状态，这时，产生出缺少了的一部分载流子所需要的时间就是载流子的“产生寿命”。复合与产生的机理与半导体种类有关，Si主要是复合中心的间接复合机理。;（3）??平衡载流子多半是少数载流子：由于半导体电中性条件的要求，一般不能向半导体内部注入、或者从半导体内部抽出多数载流子，而只能够注入或者抽出少数载流子，所以半导体中的非平衡载流子一般就是非平衡少数载流子。 （4）非平衡载流子的运动：因为作为少数载流子的非平衡载流子能够产生浓度梯度，所以，非平衡载流子的扩散是一种重要的运动形式；在小注入时，尽管非平衡载流子的数量很小，但是它可以形成很大的浓度梯度，从而能够产生出很大的扩散电流。相对来说，非平衡载流子受电场作用而产生的漂移电流却往往较小。;1.载流子的产生速率 Q 与复合速率 R  ~指单位时间，单位体积内所产生（或复合掉)的电子— 空穴对的数目。 2.热平衡状态 ~1.产生速率 Q =复合速率 R ； 2.宏观性质保持不变； 3.统计意义上的动态平衡。 4.对非简并的半导体（半导体中掺入一定量的杂质时，使费米能级Ef位于导带和价带内，即Ev + 3KT = Ef = Ec -3KT时，半导体成为非简并的。 ），热平衡的判据式为：n0*p0=ni^2。 3.非平衡状态 ~指在外界条件作用下，平衡条件被破坏，系统处于与热平衡状态相偏离的状态。。 4.非平衡载流子（过剩载流子） ~指处于非平衡状态下的载流子浓度n 、p与热平衡状态时的载流子浓度n0 、p0之差，即 △ n= n-n0 、△ p= p-p0 ，且△ n= △ p。;平衡态半导体的标志就是具有统一的费米能级EF，此时的平衡 载流子浓度n0和p0唯一由EF决定。平衡态非简并半导体的n0和p0乘 积为 称n0p0=ni2为非简并半导体平衡态判据式。 ; 但是半导体的平衡态条件并不总能成立，如果某些外界 因素作用于平衡态半导体上，如图所示的一定温度下用光子 能量hγ≥Eg的光照射n型半导体，这 时平衡态条件被破坏，样品就处于偏 离平衡态的状态，称作非平衡态。 光照前半导体中电子和空穴浓度分 别是n0和p0，并且n0p0。光照后的非 平衡态半导体中电子浓度n=n0+Δn ，空穴浓度p=p0+Δp ，并且 Δn=Δp ，比平衡态多出来的这部分载流子Δn和Δp就称为非平 衡载流子。n型半导体中称Δn为非平衡多子，Δp为非平衡少子。;因此相对来说非平衡多子的影响轻微，而非平衡少子的影 响起重要作用。通常说的非平衡载流子都是指非平衡少子。 非平衡载流子的存在使半导体的载流子数量发生变化，因而会引起附加电导率 当产生非平衡载流子的外部作用撤除以后，非平衡载流子也就逐渐消失，半导体最终恢复到平衡态。 半导体由非平衡态恢复到平衡态的过程，也就是非平衡载流子逐步消失的过程，称为非平衡载流子的复合。 平衡态也不是静止的、绝对的平衡，而是动态平衡。;1.定义 ~ 指在外界作用下使半导体产生非平衡载流子的过程。 2.分类 ~1.非平衡载流子的光注入和电注入。 2.小注入（ △ n= △ p n）和大注入（ △ n= △ p~ n）。 3.非平衡多数（少数）载流子 ~ 对于n型半导体，非平衡电子 △ n称为非平衡多数载流子； 而非平衡空穴△p称为非平衡少数载流子。 ！非平衡少子的浓度通常高于平衡态少子浓度。;光照产生非平衡载流子的方式称作非平衡载流子的光注入， 此外还有电注入等形式。 通常所注入的非平衡载流子浓度远远少于平衡态时的多子浓度。例如n型半导体中通常的注入情况是Δn n0，Δp n0，满足这样的注入条件称为小注入。 要说明的是即使满足小注入条件，非平衡少子浓度仍然可以比平衡少子浓度大得多。 例如：磷浓度为5×1015cm-3 的n-Si，室温下平衡态多子浓度n0=5×1015cm-3，少子浓度p0=ni2/n0=4.5×104cm-3，如果对该半导体注入非平衡载流子浓度Δn