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后硒化法制备铜铟硒cis太阳能薄膜的表征
PLD溅射后硒化法制备铜铟硒(娜)太阳能薄膜的表征
师 磊
(中国建材国际工程有限公司，蚌埠233018)
摘要：
(Ⅺ匝)，对PLD溅射后硒化法制备出的铜铟硒(CIS)太阳能薄膜进行了表征；姑果表明此工艺方法可以制备出单相性
较好的黄铜矿结构的CIS薄膜。
关键词：cuIllSe2(cIs)；薄膜； 太阳能电池；PLD溅射；后硒化
CharacteristicsofCISSolar ThinFilms PLD
Energy Preparedby
andPost—selenization
Sputtering
SHILe／
International
(ChinaTriumph EngineeringCo，Ltd，Bengbu233018，China)
films
Abstract：TheofCIS PLD and hadbeencharacterized
property preparedby sputteringpost-selenization byX—ray
Electron PhotoElectron Fluores-
Diffraction(XRD)、ScanningMicroscope(SEM)、X-raySpec咖py(xPS)andX-ray
show of
cenge,spec-tlometel-(XRF)，theresultsthatCISthinfilmssingle and canbeobtained
phasechalcopyrite$．tructtlreby
thismethod．
films；solar
Keywords：CulnSe2(CIS)；thinenergybattery；PLDsputtering；post．selenization
目前，薄膜太阳能电池的研究工作主要集中在 铜铟合金靶材，靶材中Cu占35．24％，In占
64．76％。调节距离控制旋钮20，使基底和靶之间
非晶硅薄膜电池、CdTe系薄膜电池、CIS(CulnSe．：)
系薄膜电池和多晶硅薄膜电池上。其中，CIS系薄 的距离为2clrl。当达到一定真空度后，由激光发生
膜电池由于转换效率最高成为了研究热点。这种电 器2产生激光，通过凸透镜1聚焦后，再由激光入射
池就是以CIS为吸收层的高效薄膜太阳能电池， 口3进人工作室打到铜铟合金靶材18上。先用挡
板17挡住表面氧化层，经过一定时间后，用挡板控
CulnSe恐属于I一Ⅲ一Ⅳ族化合物，它是由Ⅱ一Ⅳ
族化合物衍化而来，其中第二元素被第1族(Cu)和制旋钮4将挡板移开，溅射45min，那么铜铟合金
第Ⅲ族(In)取代而形成三元化合物，具有黄铜矿相就会沉积在钼玻璃上。马达5、21可以分别带动衬
结构。CIS薄膜太阳能电池材料的吸收系数高、带 底和靶旋转，避免激光照在铜铟合金靶材的同一位
隙可控、结晶品质高、弱光性能好、抗辐射能力强、电 置，并且使成膜均匀。
池性能稳定、制造成本低、光电转换效率高，是各种 1．2固态源后硒化处理Culn层薄膜工艺
薄膜太阳能电池的首选。 1．2．1硒化制备CIS薄膜材料的生长机理
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