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（4）特征频率 特征频率是指 四、三极管的种类、识别与检测 1.三极管的种类 按频率分：高频管、低频管； 按功率分：小、中、大功率管； 按半导体材料分：硅管、锗管等； 按结构分：NPN型、PNP型; 种 类 低频小功率 三极管 高频小功率 三极管 低频大功率 三极管 高频大功率 三极管 开关管 型号 举例 3AX系列、 3DX系列 3AG系列、 3DG系列 3AD系列、 3DD系列 3AA系列、 3DA系列 3AK系列、 3DK系列 用 途 低频小功率 放大 高频小功率 放大 低频大功率 放大 高频大功率 放大 开关电路 应用举例 收音机的音频功放部分 收音机的高频功放部分 收音机的低频功放部分 信号发送机的功率放大部分 用于逻辑 电路 */62 */62 */62 * * * * * * * 第6章 常用半导体器件 6.2 三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。具有电流放大作用。 晶体三极管是通过一定工艺，将两个靠得很近并且背对背排列PN结结合在一起的器件，它是由自由电子与空穴作为载流子共同参与导电的，因此晶体三极管也称为双极型晶体管(Bipolar Junction Transistors)，简称BJT。 三端器件，应用时易于控制； 用来实现受控源，它是放大器设计的基础。 一.BJT的结构和符号 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ NPN型 PNP型 符号: 三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄(μm级)且浓度很低。 （3）集电结的面积大于发射结面积。 - - N N P 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 - - P P N 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 文字符号:VT、T 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态： 发射结正偏： + UCE － ＋ UBE － ＋ UCB － 集电结反偏： 由VBB保证 由VCC、 VBB保证 UCB=UCE - UBE 0 共发射极接法 c区 b区 e区 正偏电压：硅管0.6~0.8V,锗管0.1~0.3V 反偏电压：硅管,锗管都是：几伏特至几十伏特 1、BJT的工作电压 二． BJT的工作状态（NPN管） (a) NPN型 (b) PNP型 三极管共发射极电源接法 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。 2．BJT内部的载流子传输过程 （3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。  另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 3.1 直流电流分配关系 三个电极上的电流关系: IE =IC+IB≈IC 定义： (1)IC与I E之间的关系: 所以: 其值的大小约为0.9～0.99。 3．BJT的电流放大作用 (2)IC与I B之间的关系： 联立以下两式： 得： 所以： 得： 令： 3.2 BJT的电流放大作用 直流电流放大倍数 交流电流放大倍数 三极管电流测量数据 次数I 1 2 3 4 5 IB /mA 0 0.01 0.02 0.03 0.04 IC/mA 0 1.07 2.08 3.13 4.20 IE/mA 0 1.08 2.10 3.16 4.24 （1）直流电流分配关系 （2）电流放大作用 4. BJT的伏安特性曲线（共发射极接法） (1) 输入特性曲线 iB=f(uBE)? uCE=const （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 （3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。 （2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。 死区电压 硅 0.5V 锗 0.2V 导通压降 硅 0.7V 锗 0.3V 输入特性曲线是指三极管c-b间的电压UCE为某一定值时，输入回路中基极电流iB和发射结偏压uBE之间的关系曲线。 (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。