《14半导体器件2》-精选·课件.pptVIP

半导体三极管的基本结构 三极管内部结构 小 结 1.半导体基本知识:本征激发、多数载流子、少数载流子、P、N型半导体、半导体导电性受温度、光照的影响 2.PN结:PN结形成、空间电荷区(内电场)、单向导电性、非线性的伏安特性(正向；反向；反向击穿)、死区(开启)电压、等效模型 3.二极管应用:整流、检波、限幅、逻辑、稳压 4.其他二极管:发光、变容、光电、激光等二极管 问与答 1.PN结伏安特性分为哪3个区域？ 2.二极管正向电阻与反向电阻哪个大？ 3.硅二极管的导通电压一般取几伏？ 4.二极管的简化模型有几种？一般根据什么原则选用？ 5.稳压电路中的限流电阻计算原则? §14.5 双极型三极管 半导体双极型三极管是具有电流放大功能的元件 频率： 高频管、低频管 功率： 材料： 小、中、大功率管 硅管、锗管 类型： NPN型、PNP型 基区 集电区 发射区 基极 集电极 发射极 集电结 发射结 NPN型 T 基极 B: Base 发射极 E: Emitter 集电极 C: Collector PNP型 T 三极管内部结构特点： 发射区：掺杂质最多。（多数载流子最多） 基区：掺杂质最少，最薄。（多数载流子少） 集电区：面积最大。（容易收集多数载流子） §14 半导体二极管及其应用 §14.1 半导体基础知识 根据物质导电能力(电阻率)不同，划分为导体、绝缘体和半导