《百度文库-信息提示9153979》-课件.ppt

* 3.9 高频小信号电流电压方程与等效电路 推导步骤 首先利用电荷控制方程得到 “ i ~ q ” 关系，然后再推导出 “ q ~ v ” 关系，两者结合即可得到 “ i ~ v ” 方程。 本节以均匀基区 NPN 管为例。 （并推广到高频小信号） 先列出一些推导中要用到的关系式： 3.9.1 小信号的电荷控制模型 ( i ~ q 关系 ) 参考方向：电流均以流入为正，结电压为 vBE 和 vCB 。 基极电流 iB 由以下六部分组成： 晶体管中的各种电荷为 (2) 由基区注入发射区的少子形成的 ipE ，这些电荷在发射区中与多子相复合，故可表示为 (1) 补充与基区少子复合掉的多子的电流 (4) 当 vCB 变化时，对 CTC 的充电电流 (5) 当 qB 变化时，对 CDE 的充电电流 (6) 当 qE 变化时引起的电流 。这部分电流可以忽略。 (3) 当 vBE 变化时，对 CTE 的充电电流 其中基区少子的小信号电荷 qb 又可分为由 vbe 引起的 qb ( E ) 和由 vcb 引起的 qb ( C ) 两部分。 因此基极电流 iB 可以表为 基极电流的高频小信号分量 ib 也有类似的形式， 集电极电流的高频小信号分量 ic 由以下三部分组成： (1) 从发射区注入基区的少子，渡越过基区被集电结收集后所形成的 (2) 当 vcb 变化时，对 CTC 的充电电流 (3) 当 vcb 变化时，引起 qb ( C ) 变化时所需的电流 因此 3.9.2 小信号的电荷电压关系 ( q ~ v 关系 ) 下面推导晶体管中的各种 “ q ~ v ” 关系 式中， 因此 式中的 qb ( E ) 实际上就是 CDE 上的电荷，即： vbe 增加时，qb ( E ) 增加。 将 与 代入 中，得： 因此 vcb 增加时，qb ( C ) 减少。 于是得到各 “ q ~ v ” 关系为 将以上 qe、qb、qte、qtc 代入 ib 中，并经整理和简化后得： 式中， 3.9.3 高频小信号电流电压方程 也分为与 vbe 有关的 和与 vcb 有关的 ，即： 下面推导 ic 必须将上式中的 看作一个整体，即 ，它 式中， 代表集电极电流受发射结电压变化的影响，称为晶体管的 转移电导，或 跨导。 根据发射极增量电阻 re 的表达式，gm 与 re 之间的关系为 由晶体管的直流电流电压方程 ( 3-59b )，当集电结反偏时，跨导可表为 代入 ic 中，并经整理后得： 中的其余两项为 于是得到共发射极高频小信号电流电压方程为 当用高频小信号的振幅来表示时，晶体管的共发射极高频小信号电流电压方程为 再由 Ie = -Ib - Ic 的关系，可求出 Ie ，并考虑到 从而可得共基极高频小信号电流电压方程为 （3-358a） （3-358b） 对于直流状态或极低的频率，只须忽略所有电容，就可以得到相应的直流小信号电流电压方程。例如晶体管的共发射极直流 小信号电流电压方程为 3.9.4 Y 参数 晶体管电流电压关系的 Y 参数（导纳参数）表示法： V2 I1 + I2 V1 + 根据式（3-358）的共基极高频小信号电流电压方程， 和 Y 参数的定义，可得到晶体管的共基极高频小信号 Y 参数， 3.9.5 小信号等效电路 晶体管内部的作用虽然很复杂，但从外部看，只有输入端的电流电压和输出端的电流电压这四个信号量。晶体管用在电路中时，重要的只是这四个量之间的关系。特别是在小信号运用时，这些信号量之间的关系为线性关系。 如果用另外一些元件构成一个电路，使其输入输出端上信号量之间的关系和晶体管的完全一样，则这个电路就是晶体管的 等效电路。在