医疗医学晶体二极管晶体三极管场效应晶体管本章小结.pptVIP

第一章　半导体器件 第一节　晶体二极管 三、二极管的伏安特性 四、二极管的主要参数 五、二极管的应用 六、其他二极管 第二节　晶体三极管 二、三极管的工作原理 三、三极管的伏安特性 四、三极管的主要参数 第三节?场效应晶体管 二、MOS 管的伏安特性 三、MOS 管的主要参数 四、MOS 管和三极管比较 本章小结 　　2．输出特性 　　在 VGS 一定的条件下，漏极电流 ID 与漏源电压VDS 的关系。 　　又称变阻区， VDS 很小，若VGS不变，则 ID 基本上随 VDS 增加而线性上升，导电沟道基本不变。当 VDS 很小时， VGS 越大，沟道电阻越小，MOS 管可看成为受VDS 控制的线性电阻器。 　　（1）非饱和区 ? 　　（2）饱和区 Ⅱ 　　只要 VGS 不变， ID 基本不随 VDS 变化，趋于饱和或恒定，又称恒流区。且 ID 与 VGS 呈线性关系，又称线性放大区。 第三节　场效应晶体管 　　（3）击穿区 Ⅲ 　　当 VDS 增大到超过漏区与衬底间的PN结所能承受的极限时， ID 急剧上升，不再受 VGS 控制。 　　（4）截止区 　　① 增强型， VGS VGS(th) 导电沟道未形成。 ID = 0。 　　② 耗尽型， VGS VGS(off)导电沟道被夹断。 ID = 0。 第三节　场效应晶体管 第二节　晶体三极管 　　2．结构及符号 　　在