2015年度ITRS笔记.pptVIP

. . . . . . . . . . . . . . . . CONTENT 来自ITRS的CMOS器件微缩趋势 极小尺寸COMS器件遇到的主要问题 More Moore More than Moore What I believe * 来自ITRS的CMOS器件微缩趋势 1.存储器趋势 2.逻辑器件趋势 * Memory Trends 由于2D情况下继续微缩电容变得非常困难，DRAM可能在2024年达到极限，届时DRAM的容量在32G达到饱和，除非有重大的突破。 FLASH将会引领半导体工业在晶体管密度方面的革命。到2020年，2D的FLASH会达到极限，主要是因为浮栅电子数量和电荷保持能力的问题。解决方案是垂直堆叠（3D集成），目前已经出现32和48层的原型。 * Logic Trends 在过去的十年，Fin FET产生了革命性的影响，不光延续了摩尔定律，还加速了晶体管空间尺寸的缩小进程 在下个十年我们需要一种新型的晶体管来应对潜在的亚阈值斜率降低和漏电流等问题。 * Logic Trends 总的来说未来单个晶体管的开关能耗将比现在的降低15% 2020-2025，器件的特征尺寸将缩小到几个纳米，不可能继续再缩小尺寸 * CMOS等比例微缩面临的挑战 1.成本上升：进入22nm节点后，单个晶体管成本不再下降。 2.Gate控制能力减弱，