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电子发烧友 电子技术论坛 10 位 40MSPS 模数转换器片内基准电压源设计 作者：吴建辉,袁文师 关键词：基准电压源，模数转换器，运算放大器 摘要：本文设计了一个小面积、高精度、高电源抑制与温度抑制的基准电压源以满足 10 位 40MSPS 的模数转换器的要求(根据 10 位 ADC 的要求，基准电压源的温度误差应小于 1/210=1/1024=976×10-6)。 在模拟集成电路中基准电压源是一个非常重要的模块，一个有效的基准电压源应在一定的范 围内基本上与电源电压变化、工艺参数变化及温度无关。在高精度高速的数模转换器中，一 个精确的高电源抑制与温度抑制的基准电压的设计是至关重要的，其基准电压源的精度直接 影响到模数转换器的精度。本文设计了一个小面积、高精度、高电源抑制与温度抑制的基准 电压源以满足 10 位 40MSPS 的模数转换器的要求(根据 10 位 ADC 的要求，基准电压源的温 度误差应小于 1/210=1/1024=976×10-6)。 所设计的基准电压源的工作电压为 5V，在本芯片中，采用了高精度的带隙基准电压源 作为基本电压源，另外根据 FLASHAD 的工作原理，设计了由同一个带隙电压源的基础上 产生两组基准电压，即 RET(3.5V)和 REB(1.5V) ，在 ADC 中使用时则利用了其差值作为其 比较电压，进一步确保了基准电压源的精度。在芯片中，基准电压源电路主要由两部分构成: 一部分为带隙基准电压源产生电路;另一部分为由带隙基准电压源产生两组基准电压。 1 带隙基准电压源电路设计 带隙基准电压源(band-gap)是基准电压模块的核心部分，为了以最小面积、最低成本实 现高性能的带隙基准电压源，所设计的电路如图 1 所示。该电路按功能可分为带隙电压产生 电路、启动电路以及PTAT 电路。 图 1 带隙基准电压源 启动电路:启动电路由 M5 、M6 、M7 以及运算放大器的偏置电路构成(如图 1 所示) ，当 电路加上电压时，M5 的栅电位为 0V，则 M5 导通，通过电流镜 M6 与 M7 给 M1 、M3 、 M5 提供电流，电路开始工作。在电路正常工作后，运算放大器的输出，提高了 M5 的栅电 位，从而使 M5 截止，启动电路停止工作，并且 M5 设计成一个倒比管以减小启动电流。 带隙电压产生电路:主要由 Q1、Q2、R1 、R2 、opamp 及恒流源(M1、M2 、)构成，根据 理想运算放大器的特性及 pn 结的 I/V 特性有 VBE1+I1R1=VBE2 (1) VTln(I1/IS1)+I1R1=VTln[(I2+I4)/IS2] (2) 电子发烧友 电子技术论坛 且因 I2=n1I1 ，I4=n2I1;Q1 、Q2 的面积比设为n3 ，IS1/IS2=n3;故式(1)与(2)可简化为 I1=VTln[(n1+n2)n3]/R1 (3) VREF=I2R2+VBE2=n1VTln[(n1+n2)n3]R2/R1+VBE2 (4) 适当选择 n1 、n2 、n3 、R1 、R2 可设计出一个 1.25V 电压的高精度基准电压源。 PTAT 电路:主要由 M1 、M2 、M3 、M4 构成的恒流源组成(如图 1 所示) ，它们的电流 I1 、 I2 、I4 与绝对温度成正比，即为 PTAT 电流;通过利用 PTAT 电流与负温度系数 VBE 构成为 其在某一温度下其温度系数为零的基准电压源。 由以上分析可知:带隙电压源是利用理想运算放大器的两输入端虚短设计的，故运算放 大器的设计要求很高，最重要的指标是运算放大器的增益，增益越高则运算放大器越接近理 想、误差越小。本文设计了一个面积小、增益高、输入范围大的新型 CMOS 运算放大器。 2 band-gap 中运算放大器的设计 传统的串联反馈 CMOS 运算放大器的结构如图 2 所示。输入级可利用图 3 推导出 通过式(5)、式(7)可以看出其输入范围比传统的不带反馈的二级放大器大，而增益却减 小了。 即这种运算放大器的特点为大输入范围，但增益较小。 图2 串联反馈电阻运算放大器 电子发烧友 电子技术论坛 图3 串联反馈电阻运算放大器等效