界面相对微晶硅太阳电池性能影响研究统一模板.pptVIP

1.7eV 740nm， * In fact, the μc-Si:H material exhibits a microscopic inhomogeneity with a composition of crystalline grains embedded in the amorphous matrix, grain boundaries, in coexistence[5]. The grain boundary zone might provide high density of defects (DOS) and affect the transport of carriers. * we attribute the DOS, dominating the transport properties of μc-Si:H films, mainly to the defect rich grain boundary phase. * * 这是调制光电流分析的能带示意图，当使用频率为w，能量大于带隙的调制单色光照射样品，电子被激发到导带输运，在输运过程中，电子受到陷阱能级的俘获和释放，其调制光电流会相对于调制激发信号有一相移，陷阱能级的密度越大相移越大，因此通过分析此相移即可得到隙态密度的信息，而通过改变调制激发信号频率可以改变探测能级的深度，进而得到隙态密度分布。 * * Fig.2 Hydride SMs in the IR spectra of μc-Si:H films. The SMs are divided into five groups, the ELSM, LSM, MSM, HSM, and the NHSM. However, it is impossible to uniquely resolve all SMs using only one IR spectrum. For instance, 8 Gaussian shaped SMs observed are shown under the spectrum of RH30, and the black line corresponds to the total fit. * * 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体研究所 界面相对微晶硅太阳电池性能影响的研究 报告人：彭文博 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 2010.11.19 * wbpeng@semi.ac.cn 提纲 微晶硅薄膜中的界面相 微晶硅薄膜中界面相的表征 界面相对微晶硅输运性能的影响 界面相对微晶硅太阳电池的影响 结论 提纲 微晶硅薄膜中的界面相 微晶硅薄膜中界面相的表征 界面相对微晶硅输运性能的影响 界面相对微晶硅太阳电池的影响 结论 Fig.1 Schematic of μc-Si 微晶硅薄膜中的界面相 界面相 μc-Si: 微晶颗粒镶嵌在非晶母体中的复合相材料，而界面相与之共存。 微晶硅薄膜中的界面相 Fig.2 Xgb of films in the initial, light soaking and annealing state. J. Non-Cryst. Solids,352, (2006)1904 研究背景 1: 界面相在光照下不稳定 界面相的不稳定性 微晶硅薄膜中的界面相 研究背景 2: 界面相会在能带中引入: 1,能带势垒 2,缺陷态 Fig.3 Schematic energy band diagram of μc-Si:H heterogeneous network as a three-phase system constituted by amorphous, crystalline, and the grain boundary as individual phases. JAP, 100,(2006)103701 能带中的界面相 微晶硅薄膜中的界面相 提纲 微晶硅薄膜中的界面相 微晶硅薄膜中界面相的表征 界面相对微晶硅输运性能的影响 界面相对微晶硅太阳电池的影响 结论 Fig.4 A close-up of the hydride SMs open circles in the IR spec- trum of a μc-Si:H film .The lines represent the total fit and the 11 Gaussian-shaped stretching modes. APL,92, (2008)033506 红外吸收谱 波数 (cm-1) 来源 a-Si 2000 非晶硅中的Si