硅材料PNPD—硅材料NPNP—普通管W—稳压管K—开关管Z.PPTVIP

* 三极管的常用 主要参数 三 极 管 三极管的 特性 三极管的 检测 半导体器件的 命名方式 三极管的 外型 半导体器件的命名方式 第一部分 数字 字母 字母(汉拼) 数字 字母(汉拼) 电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号 2 — 二极管 3 — 三极管 第二部分 第三部分 A — 锗材料 N 型 B — 锗材料 P 型 C — 硅材料 N 型 D — 硅材料 P 型 A — 锗材料 PNP B — 锗材料 NPN C — 硅材料 PNP D — 硅材料 NPN P — 普通管 W — 稳压管 K — 开关管 Z — 整流管 U — 光电管 X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管 第四部分 第五部分 例： 3AX31 3DG12B 3DD6 PNP低频小功率锗三极管 NPN高频小功率硅三极管 NPN低频大功率硅三极管 3CG 3AD 3DK PNP高频小功率硅三极管 PNP低频大功率锗三极管 NPN硅开关三极管 三极管的识别和检测 1. 三极管极性的判别 2. 三极管性能的检测 (2) 用指针式万用表判别极性 (1) 用万用表的 hFE挡检测 ? 值 (2) 用晶体管图示仪或直流参数测试表检测 (略) (1) 目测判别极性 (3) 用指针式万用表检测 穿透电流的检测 反向击穿电压的检测 放大能力的检测 目测判别三极管极性 E B C E C B E B C B E C E B C 用指针式万用表判断三极管极性 红表笔是(表内电源)负极 黑表笔是(表内电源)正极 基极B的判断： 当黑（红）表笔接触某一极，红（黑）表笔分别接触另两个极时，万用表指示为低阻，则该极为基极，该管为NPN（PNP）。 在 R?100或 R?1k 挡测量 测量时手不要接触引脚 C、E极的判断： 基极确定后，比较B与另外两个极间的正向电阻，较大者为发射极E，较小者为集电极C。 用万用表的 hFE挡检测 ? 值 1. 若有ADJ挡，先置于ADJ 挡进行调零。 拨到 hFE挡。 将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的插孔中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接出3根引线，再插入插孔）。 从表头或显示屏读出该管的电流放大系数? 。 三极管放大能力的检测 ?1k 硅管：100 k? 锗管：20 k? ? 0 ?1k 硅管：100 k? 锗管：20 k? ? 0 PNP NPN 指针偏转角度越大，则放大能力越强 用万用表检测穿透电流 ICEO 通过测量C、E间的电阻来估计穿透电流 ICEO的大小。 一般情况下， 中、小功率锗管C、E间的电阻 10 k?； 大功率锗管C、E间的电阻 1.5 k?； 硅管C、E间的电阻 100 k?（在 R ? 10 k?挡测量）。 ?1k ? 0 ?1k ? 0 检测反向击穿电压 U(BR)CEO 反向击穿电压低于50V的晶体管,可按图示电路检测。 39 k? 5.1 k? LED 10~50 V A B 2SA1015 增大电源电压，当发光二极管LED亮时，A、B之间的电压即为晶体管的反向击穿电压。 39 k? 5.1 k? LED 10~50 V A B 2SA1015 三极管的特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 uBE/V iB/?A O 输入特性 输出特性 三极管的参数 1. 常用国产高频小功率晶体管的主要参数 部分进口高频小功率晶体管的主要参数 2. 部分国产高频中、大功率晶体管的主要参数 部分进口高频中、大功率晶体管的主要参数 3. 部分国产低频小功率晶体管的主要参数 部分进口中、低频小功率晶体管的主要参数 5. 常用国产低频大功率晶体管的主要参数 6. 常用国产小功率开关晶体管的主要参数