国家标准《锗单晶和锗单晶片》送审稿.docVIP

GB/T ××××—×××× GB/T ××××—×××× PAGE PAGE 1 ××××-××-××实施××××-××-×× ××××-××-××实施 ××××-××-××发布 锗单晶和锗单晶片 Monocrystalline germanium and Monocrystalline germanium slices （送审稿） GB/T ××××—×××× 代替 GB/T 5238－2009 中华人民共和国国家标准 ICS 77.120.99 H 66 GB/T ××××—×××× GB/T ××××—×××× PAGE PAGE I 前 言 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 5238-2009《锗单晶和锗单晶片》，主要技术变动如下： ——增加了锗单晶端面电阻率与直径大小的要求； ——增加了 大直径锗单晶的直径允许偏差要求； ——标准格式按GB/T1.1-2000《标准化工作导则》的要求进行了修改、补充和完善。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC 203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：中锗科技有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、广东先导稀材股份有限公司。 本标准主要起草人：刘新军 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 5238-2009。 PAGE 2 PAGE 1 锗单晶和锗单晶片 范围 本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容。 本标准适用于制作红外光学部件、半导体器件、激光器组件等用的锗单晶和锗单晶片。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰退法 GB/T26074 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 GB/T5254 锗单晶晶向X光衍射测定方法 要求 产品分类 锗单晶和锗单晶片按导电类型分为n型和p型。 牌号 锗单晶和锗单晶片的牌号表示方法为: □ - Ge－ □（）-〈〉 4 3 2 1 1－表示锗单晶和锗单晶片的生产方法；用CZ表示直拉法,用HB表示水平法，用VGF表示垂直梯度法。 2－Ge表示锗单晶和锗单晶片。 3－用n或p表示导电类型，括号内的元素符号表示掺杂剂。 4－用密勒指数表示晶向。 牌号示例： a）CZ-Ge-n(Sb)-〈111〉表示晶向为〈111〉n型掺锑直拉锗单晶和锗单晶片。 b）CZ-Ge-p(Ga)-〈111〉表示晶向为〈111〉p型掺镓直拉锗单晶和锗单晶片。 物理及几何参数 物理参数 锗单晶的电阻率参数应符合表1的规定。 表1 掺杂剂 电阻率（23±0.5℃） Ω?cm Ga 0.001～45 In 0.001～45 Au+Ga(In) 0.5～5 Sb 0.001～45 本征 ≥35 3.3.1.2 锗单晶端面电阻率不均匀度应符合表2的规定() 表2 锗单晶直径￠ 端面电阻率不均匀度 % ￠＜50mm ≤10% 50mm≤ ￠＜100mm ≤15% 100mm≤￠＜150mm ≤20% 150mm≤ ￠＜200mm ≤25% ￠≥200 mm ≤30% 3.3.1.3少数载流子寿命 锗单晶的少数载流子寿命应符合表3的规定。 表3 电阻率ρ Ω?cm 少数载流子寿命 μs n型 p型 0.8＜ρ＜1 — ＞1 1.0≤ρ＜2.5 ≥100 ≥80 2.5≤ρ＜4.0 ≥150 ≥120 4.0≤ρ＜8.0 ≥220 ≥200 8.0≤ρ＜16.0 ≥350 ≥300 16.0≤ρ＜ 45 ≥6