FED驱动芯片的-研究和设计.pdf

摘要 摘要 场致发射显示(FED)技术是平板显示技术之一，它具有阴极射线管(CAT)的高画质和液晶显示 (LCD)薄型低耗的双重技术优势，近些年来，大屏幕FED显示已得到广泛研究。而FED驱动芯片的 性能与成本对整机性能与成本有直接影响，高性能、低成本的驱动芯片是FED产品产业化的关键。 国内在FED驱动芯片设计领域相对落后。因此，FED驱动芯片的研究势在必行。 本文对比分析了多种FED显示驱动的实现方法，并结合场致发射的基本结构原理，确定了脉宽 调匍J(PWM)的实现方案。在此基础上，将芯片分为控制电路和高压驱动两个部分，分别确定了其电 仿真实现了PWM的功能。高压驱动采用了较为成熟的高压电路(该电路结构已成功应用于PDP驱动 版图的设计。 此芯片采用CSMC 100V 0．59m CDMOS工艺制造。经流水后测试，在输入电压为5V，移位和 计数频率为25MHz的条件下，实现了256级灰度调制的功能，实现了96路的高压输出，其中静态 输出可以达到80V，但动态工作时电流增幅较大，只能达到30V。经分析主要有两点原因，其一是 新工艺的偏差，其二是产生了台阶效应，这两点可以