高k叠栅结构的-研究FinFET器件的电特性的-研究.pdf

rlllllJlrrlJHlll rllJllJIPIlllJllll JllHJIl[[0 Y1 摘要 摘要 集成电路工艺的不断发展使得器件的特征尺寸接近电子的德布罗意波长，量 子效应变得十分明显。电子的直接隧穿效应将导致栅介质的泄漏电流急剧增大， 栅氧化层的可靠性问题日益突出，栅介质层的厚度成为限制纳米器件特性的主要 因素。为了提高栅的控制能力，必须减小栅介质层的等效厚度，研发新型的器件 结构。 论文对高k介质材料与Si的热稳定性、带隙和与带边间的势垒高度、界面特 性进行了论述，并以此确定高介电常数栅介质材料的选择。用原子层淀积(ALD) 退火实验，研究表明由于氧化层中的电荷及界面态的存在会对材料的电学特性产 生重要的影响，热退火可以有效地降低界面态和介质层电荷。 对MIS结构中的电容电压(C．V)特性及栅氧电荷与界面电荷对C．V特性的影 行仿真分析，得出Hf02／SiO：z叠栅结构特性优于H胁作为栅介质材料的结论。研 发射是主要的输运机制。 FinFET转移特性曲线、输出特性曲线进行仿真分析，并完成高k栅介质氧化层中 小，功耗低、集成度高的特点，又具有FinFET结构双栅控制的优势，可以有效 抑制器件的短沟道效应。同时Hf02,／Si02叠栅的应用不仅增加了氧化层的物理厚 度，更有效地降低了氧化层与硅膜之间的界面陷阱密度。由此证明SOIHf02／SiO：z 叠栅FinFET结构是非常有发展潜力的一种新型器件结构。 关键词： FinFET 高k介质MIS电容Hf02／Si02叠栅漏电流SOI Abstract Abstract ofsemiconductordevicesiS Withcontinual of featuresize ICs，the scaling Can be tOde andthe effectnot ignored． approachingBrogliewavelengthquantum Direct the dielectriccurrent． dominates tunneling(DT)effectincreasinggate leakage Inorderto the andenhance reductionin ability reliability,the improvegate—control thicknessof dielectricandtheresearchinnewstnlctulesdeviceare gate necessary． Thethermal