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led原材料芯片检验规范 　　篇一：LED_Chip_FQC检验规范 　　版 本：R5  　　拟案单位：工程部／ALLAN  　　1. 目的 2. 范围3. 内容  　　 检验测试项目  　　  　　光电性检验 外观检验 数值标示检验。  　　本公司生产之所有LED产品均属之。 制订LED CHIP FQC检验规范。  　　 订定成品入库批允收程序，以确保产品质量达一定水平。  　　 抽样计划（片数定义：芯片片数）  　　  　　依「产品检验抽样计划」(WI-20-0101) 抽片执行检验。 光电特性检验（VFH、VFL、IV）  　　（1）抽样位置：分页片边缘4颗，分页片内围6颗，均匀取样。 （2）抽样数量：每片10颗。  　　（3）每片抽样数，每一颗不良，则列一个缺点。  　　外观检验  　　（1）PS TYPE不良晶粒＞2ea／sheet，列入一个缺点。  　　（2）NS TYPE或PS TYPE分页面积最长距离＜ cm者，不良晶粒＞  　　5ea／sheet，且＞10 ea／wafer 列入一个缺点。  　　（3）缺点项目之限样标准由制造、FQC两单位共同制作，作为人员检验之依据。  　　 缺点等级代字  　　  　　主要缺点代字：MA（Major）。 次要缺点代字：MI（Minor）。  　　 参考文件  　　本公司产品目录规格书 　　版 本：R5 　　拟案单位：工程部／ALLAN  　　  　　研发工程产品测试分类规格 其它相关之质量文件  　　4. 光电特性检验  　　 顺向电压VFH  　　  　　依特定之额定电流点测，须低于规格上限。  　　规格上限应参考测试分类规格及GaP、GaAsP、AlGaAs产品T/S前测站  　　作业指导书。  　　缺点等级：MA  　　 顺向电压VFL  　　  　　依特定之额定电流点测，须高于规格下限，低于上限。  　　规格：GaP≧，GaAsP≧，AlGaAs (≦VFL≦)，IR  　　(~ V)。  　　缺点等级：MI  　　 亮度Iv / Po  　　  　　依特定之额定电流点测，须高于规格下限。  　　规格下限应参考测试分类规格及各产品T/S前测站作业指导书判定。 缺点等级：MA  　　5. 外观检验﹙共同标准﹚  　　版 本：R5  　　拟案单位：工程部／ALLAN 　　版 本：R5 　　拟案单位：工程部／ALLAN 　　版 本：R5 　　拟案单位：工程部／ALLAN  　　6.  　　篇二：LED检验规范  　　摘 要  　　系统地在分析LED发光机理的基础上，阐述了LED半导体材料的发展历程，介绍了LED光源的优点和几个主要的应用场合，分析了国内外产业的发展状况，并指出LED光源面临的几个问题。介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义，详细介绍了测试方法和测试装置的要求。  　　前 言  　　自1879年爱迪生发明白炽灯以来，电光源照明已经经历一个多世纪，这其中有三个重要的发展阶段，其代表性光源分别是白炽灯、荧光灯和HID（高强度气体放电）灯。白炽灯安装使用简便，但它是热辐射光源,绝大部分输入电功率都变成了红外辐射以及较大的热损失, 落在可见光区的辐射所占比例较小, 因而其光效较低，而且寿命短，易损坏。  　　荧光灯的工作原理是：电流激发汞原子并使它们发出紫外线光子，这些光子激发荧光粉发出可见光。虽然其较白炽灯可以省电，但由于受到紫外线转换成可见光效率的制约,光效提高也有限，而且存在电磁污染、使用寿命短、易碎等缺点，其主要组成部分汞还会造成环境污染。HID灯光效已经可以超过100lm/W，但由于热导及紫外、红外等损失，光效也很难有较大的提高，且存在成本高、维护困难、寿命短、电磁辐射等问题。近几十年来，人们对于开发新照明光源的研究和探索从未停止过。欧洲专门制定了五年行动计划，提出新型光源要符合三个条件：高效、节能；材料对环境无害；模拟自然光，显色指数接近100。  　　发光二极管（Light Emitting Diode简称LED)是一种重要的光电子器件,它在科学研究和工农业生产中均有非常广泛的应用.发光二极管虽小,但要准确测量它的各项光和辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有较大的差异.鉴于此,CIE(国际照明委员会)TC2-34 小组对此进行了研究,所提出的技术报告形成了CIE127-1997 文件。  　　随着新一代半导体材料AlGaAs（砷化铝镓）、AlInGaP（磷化铝铟镓）和AlInGaN（氮化铝铟镓）的出现和发光二极管封装等技术的突破，单晶片红、绿、蓝、白光LE