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CMOS图像传感器的发展与现状 一?引言 自上世纪60年代末期，美国贝尔实验室提出固态成像器件概念以 来，固体图像传感器得到了迅速的发展。在早期的70年代时期，电 荷耦合器件(CCD)、电荷注入器件(CID)、光敏二极管阵列(PDA)得到了 发展。而这其中，CCD发展尤为迅速，到90年代时，CCD技术匕经 比较成熟。然而，随着CCD的应用幵始广泛起来，其缺点也开始逐 一显露。例如：CCD光敏单元阵列难与驱动电路及信号处理电路单片 集成，不易处理一些模拟和数字功能，这些功能包括模/数转换器、精密 放大器、存贮器、运算单元等元件的功能;CCD阵列驱动脉冲复杂，需 要使用相对高的工作电压，不能与深亚微米超大规模集成(VLSI)技术兼 容。因此，人们又开发了另外几种固体图像传感器技术,CMOS图像传 感器便是其中的一种。早期的CMOS图像传感器，受制于当时的工艺 水平，丼图像质量差、分辨率、低噪声高、光照灵敏度不够。相比之 下，CCD在这些方面有着出色的性能。因而早期的图像传感器市场一 直是CCD器件的天下。而近年来，随着集成电路设计与制造工艺的 发展，CMOS传感器的上述缺陷得到了克服或改进，而其固有的优势 开始体现出来，这使得CMOS传感器开始迅速占领市场，其研究也再 次成为了热点。 二.CMOS传感器发展历史 CMOS图像传感器的研发大致经历了 3个阶段:CMOS无源像素 传感器(CMOS- PPS,Passive Pixel Sensor)阶段、CMOS 有源像素传感 器(CMOS-APS, Active Pixel Sensor)阶段和CMOS数字像素传感器 (CMOS- DPS, Digital Pixel Sensor)阶段。 CMOS无源像素传感器 自从1967年Weckler首次提出光敏二极管型无源像素结构以来。 其结构基本没有发生变化。无源像素结构如图2,它由一个反向偏置的 光敏二极管和一个开关管构成。当开关管开启，光敏二极管与垂直的 列线连通。位于列线末端的电荷积分放大器读出电路保持列线电压为 一常数，并减小KTC噪声。当光敏二极管存贮的信号电荷被读取时，其 电压被复位到列线电压水平，与此同时，与光信号成正比的电荷由电荷 积分放大器转换为电压输出。 2光敏二极管型无源像素结构图 单管的光敏二极管型无源像素允许在给定的像元尺寸下右最高的 设计填充系数;或者在给定的设计填充系数下，可以设计出最小的像元 尺寸。此外，无源像素传感器的量子效率也很高。但是，无源像素传 感器的读出噪声较高，这是丼主要缺陷。 有源像素传感器 有源像素传感器在象元内引入了缓冲器或者放大器，以此改善象 元的性能。与无源像素结构相比，有源像素结构的填充系数小,其设计 填充系数典型值为20%?30%。 由于增加了有源放大管，于是减小了读出噪声并且它的读出速度 也较快。由于有源像素传感器驱动能力较强，列线分布参数的影响相 对较小，因而存利于制作像元阵列较大的器件；另外，由于右源放大 管仅在读出状态下才工作，所以CMOS有源像素传感器的功耗比 CCD图像传感器的还小。 数字像素传感器 无源像素传感器和有源像素传感器的像素读出均为模拟信号，它 们通称为模拟像素传感器。近年来，美国斯坦福大学提出了一种新 的CMOS图像传感器结构一数字像素传感器(DPS), 在像素单元里集成了 ADC(Analog- to- DigitalConvertor)和存储单元。 由于这种结构的像素单元读出为数字信号，其它电路都为数字逻辑 电路，因此数字像素传感器的读出速度极快，具有电子快门的效果， 非常适合高速应用，而且它不像读出模拟信号的过程，不存在器件噪 声对其产生干扰。另外，由于DPS充分利用了数字电路的优点，因此 易于随着CMOS工艺的进步而提高解析度，性能也将很快达到并超 过CCD图像传感器，并且实现系统的单片集成。 三.CMOS传感器发展现状 国内发展现状 国内的丙安交通大学、华北工学院、中国科学院微电子研究中心、北 京思比科微电子公司、文哗科技香港有限公司、联想企业集团等单位 较早展开了 CMOS图像传感器的设计，研宂，也取得了一定的成果。 其中，西安交通大学开元微电子科技有限公司于1998年3月研制 成功我国第一块CMOS彩色微型摄像芯片，近年来致力于高集成度 草色摄像芯片M60等专用摄像芯片的研究和开发。北京思比科于 2011年推出1200万像素CMOS图像传感器SP8AC08,该芯片为中国 首款突破千万像素级的国产高端芯片，打破了国外厂家在该领域的长 期技术垄断。2012年年底，中芯国际宣布，该公司在背照式CMOS 图像传感器的开发中取得突破，第一款测试芯片即使是在弱光环境下 也能取得不错的图像效果。中芯国际将于2013年与合作伙伴一起生 产这款芯片。中芯国际在