《半导体控制湿蚀刻反应的研究》》-毕业论文.docVIP

第一章　绪论 1.1　研究背景 半导体是一种导电能力介于导体与非导体之间的材料。半导体工业自1947年发明电晶体后，已经成为现代新兴工业的主流，由于技术的迅速成长与突破，使集成电路( Integration Circuit，IC )制造得以在短短的几十年间由单一的电晶体、电阻、电容等分离组件的组合发展到可以容纳数十个电晶体的小型集成电路 (SSI—Small Scale Integration，101)，中型集成电路（MSI—Medium Scale Integration，102-103）再经历至可容纳数十万个电晶体的大型集成电路 ( LSI—Large Scale Integration，104-105)，现今已经可以容纳数千万个电晶体的超大型集成电路 ( VLSI—Very Large Scale Integration，106-107 ), 甚至扩展到极大型集成电路（ULSI—Ultra Large Scale Integration，108-109）。这种发展速度是其它任何领域都无法与之相比的。 在半导体制程中湿蚀刻是一个非常重要的制程，湿蚀刻是利用溶液与薄膜经反应所产生的气态或是液态的生成物来执行薄膜分子的移除。因此，湿蚀刻的进行是没有固定方向的，即所谓的均向蚀刻（也叫等向性蚀刻）。湿蚀刻机台的作用就是利用化学的方法除去IC制程中在晶圆表面产生的各种污染物，包括：微