俄歇电子谱-AES.pptVIP

2、俄歇谱分析技术-II 表面元素半定量分析 原理：样品表面出射俄歇电子强度与样品中该原子的浓度成线性关系 三、俄歇电子谱分析技术 俄歇电子强度不仅与原子多少有关,还与俄歇电子的逃逸深度、样品的表面光洁度、元素存在的化学状态有关。因此,AES 技术一般不能给出所分析元素的绝对含量,仅能提供元素的相对含量 2、俄歇谱分析技术-III表面元素的化学价态分析 三、俄歇电子谱分析技术 近年俄歇电子能谱的化学位移分析在薄膜材料的研究上获得了重要的应用，取得了很好的效果 由于谱图解析的困难和能量分辨率低的缘故，一直未能获得广泛的应用 在SiO2/Si界面不同深度处的Si LVV俄歇谱 Si LVV俄歇谱的动能与Si原子所处的化学环境有关。在SiO2物种中，Si LVV俄歇谱的动能为72.5 eV, 而在单质硅中，其Si LVV俄歇谱的动能则为88.5 eV。 锰和氧化锰的俄歇电子谱 氧化锰 540eV 587eV 636eV 锰 543eV 590eV 637eV 锰 氧化锰 2、俄歇谱分析技术-III表面元素的化学价态分析 当俄歇跃迁涉及到价电子能带时，情况就复杂了，这时俄歇电子位移和原子的化学环境就不存在简单的关系，不仅峰的位置会变化，而且峰的形状也会变化。 Mo2C、SiC、石墨和金刚石中 碳的 KLL（KVV或）俄歇谱 2、俄歇谱分析技术-III表面元素的化学价态分析 2、