半导体概论期末报告题目N井CMOS的制程组员1康竣杰499L.DOCVIP

半導體概論 期末報告 題目：N井CMOS的製程 組員： 1. 康竣傑 499L0024(第一道光罩、前製) 2. 黃成靖 499L0036(第三道光罩) 3. 曾宜唯 499L0061(第七、八道光罩) 4. 李典錡 499L0067(第二道光罩) 5. 蕭辰字 499L0087(第四、五道光罩) 6. 黃柏仁 499L0092(第六道光罩) 7. 黃星翰 499L0095(名詞解釋) 技術指導：吳坤憲 教授製作環境： 　　半導體結構如微感測器、微致動器與一般積體電路等半導體元件相同，其關鍵性製程都需要在乾淨無塵的環境內執行，此外還得維持恆定溫、濕度要；因此無塵室(Clean Room)的規畫是以能達到正確的微結構製造為主要原則。 晶圓製造： 長晶(crystal growth) 切片(slicing) 邊緣研磨(edge-grinding) 研磨(lapping) 蝕刻(etching) 退火(annealing) 拋光(polishing) 洗淨(cleaning) 檢驗(inspection) 半導體元件圖案結構的製作，利用光罩將圖案曝光在光阻層上，再透過顯影來完成，為了使圖案轉移有更好的精確度與可靠度，可以分為以下幾個步驟： HYPERLINK /question/question?qid=1405122617036 \l # \o 基材 基材表面清洗： 由於晶片基材表面通常都含雜質，因此必須先用甲醇或丙酮去除雜質，再以氫氟酸蝕刻基材表面的氧化物，經純水沖洗後，置於100~200 oC的環境下去水烘烤(Dehydration Bake)數分鐘。 將基材塗上光阻劑： 將基材置於旋轉的夾具內旋轉，將光阻劑滴在基材表面，利用兩階段旋轉，第一階段先使光阻劑往晶片外圍移動，第二階段控制光阻層的厚度，透過旋轉離心力作用，使晶圓上的光阻劑膜均勻分佈；另一個作法是將光阻劑以氣相的方式均勻噴灑在基材表面。 曝光前預烤 (Pre-Exposure Bake)： 即軟烤 (Soft Bake)：將感光膜中的溶劑去除，使感光膜對基材表面附著力增強。 曝光(Exposure)： 利用紫外光透過光罩圖案照射感光膜，以成像於感光膜上，進行圖案轉移。 顯影(Development)：將基材浸泡或於表面噴灑顯影劑，將曝光後的所轉移的圖案顯現出來。 硬烤(Hard Bake)：將表面及感光膜內所殘存的溶劑加熱蒸發，加強顯影後感光膜的附著力。 氧化(Oxidation)： 利用高溫爐管在晶片基材表面形成一層氧化層，以保護晶片基材表面免於受到化學作用，同時氧化層也可做為介電層(絕緣)。 擴散(Diffusion)： 在高溫爐中，藉由晶片基材與雜質材料的相鄰放置，並通過輔助氣體，使基材或各層材料的鍵結型態和能隙產生變化，並因雜質而改變基材或各層的導電性。 蝕刻(Etching)： 分為濕蝕刻(Wet Etching)與乾蝕刻(Dry Etching)：濕蝕刻是將晶片浸泡於化學溶液中，將表面材料移除；乾蝕刻是以電漿離子打在晶片表面來移除各層材料。 金屬鍍膜與連線： 利用蒸鍍、濺鍍或化學層沈積的方法，在晶片基材上形成薄金屬膜，並利用微影、蝕刻方式獲得所需之圖案，而構成半導體元件間的電性連接，並在晶片表面金屬端製作大面積的銲墊 (Bonding Pad)，以提供線銲 (Wire Bond) 端點之用，可以使用微探針儀進行晶片電性連接檢測。 去光阻(Photoresist Removal)： a. 濕式去光阻 : 1. 有機溶液(丙酮或芳香族等)對光阻進行結構性的破壞，使光阻溶於有機溶液裡，以達成移除光阻。 2. 無機溶液(H 2SO4、H2O4)把光阻內的碳元素，以雙氧水氧化為二氧化碳，氧原素則以H2SO4施以去水，以除去光阻，但此方法會攻擊鋁(Al)，因此Al的光阻去除須以有機溶液來進行。 b. 乾式去光阻 : 以Plasma來進行光阻的去除，氣體使用氧氣利用RF(13.56MHz)能量的激發可以獲得一個充滿(O＋、O 2＋、O 2、O 2 －、O)粒子的氧電漿，晶片上的光阻將被氧電漿藉著反應的蝕刻而去除，並得到氣態的CO、CO2及H 2O，且被電漿反應器的真空系統抽離。 機器名稱 用　　　　　途 化學機械研磨機 研磨的目的在於產生真正合於幾何圖形之面，增進尺寸的精確度或者配合面的密合接觸等 微影曝光機台 把光罩上的圖案〈Pattern〉重現在晶圓上面 電子迴旋共振電漿蝕刻機 蝕刻金屬薄膜，如Al 的蝕刻。 氧化爐管 經由施爐管內之氧氣作用而形成二氧化矽膜 離子佈植機 預欲摻雜的原子或分子轉為帶電離子，並經由加速過程獲得能量植入晶片中 旋轉塗佈機 塗佈光阻劑、有機薄膜 熱蒸鍍機 金屬電極之蒸鍍 濕式蝕刻設備 進行各種製程所需之濕蝕刻