《15KVA逆变电源设计》-毕业论文.doc

PAGE 第一章 绪论 1.1各种电力电子器件及选用 1.1.1各种电力电子器件的介绍 (1)门极可关断晶闸管(GTO) GTO也是晶闸管的一种派生器件,但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断，因而属于全控制型器件。GTO的许多性能虽然与绝缘栅双极晶体管，电力场效应晶体管相比要差,但其电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。GTO和普通晶闸管一样，是PNPN四层半导体结构，外部也是引出阳极、阴极和门极。但和普通晶闸管不同的是，GTO是一种多元的功率集成器件，虽然外部同样引出三个极，但内部则包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。这种特殊结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 (2）电力晶体管（GTR） GTR按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高压、大电流的双极结型晶体管（BJT），所以英文有时候也称为Power BJT。在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称是等效的。自20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶体管的，主要是GTR。但是目前，其地位已大多被绝缘栅双极晶体管和电力场效晶体管所取代。GTR与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。但是对GTR来说，最主要的特性是耐高压、电流大、开关特性好，而不像小功率的用于信息处理的双极结型晶体管那样注重单管电流放大系数、线性度、频率响应以及噪声和温漂等性能参数。因此，GTR通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，同GTO一样采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。单管的GTR结构与普通的双极结型晶体管是类似的。GTR是由三层半导体（分别引出集电极、基极和发射极）形成的两个PN结（集电结和发射结）构成，多采用NPN结构。 (3）绝缘栅型电力场效应晶体管（MOSFET） 电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，因此它的第一个显著特点是驱动电路简单，需要的驱动功率小。其第二个显著特点是开关速度快，工作频率高。另外，电力MOSFET的热稳定性优于GTR。但是电力MOSFET电流容量小，耐压低，一般只用于功率不超过10kW的电力电子装置。 MOSFET种类和结构繁多，按导电沟道可分为P沟道和N沟道。当栅极电压为零是漏源极之间就存在际电沟道的称为耗尽型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在际电沟道的称为增强型。在电力MOSFET中，主要是N沟道增强型。电力MOSFET在导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。基导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。小功率MOS管是一次扩散形成的器件，基导电沟道平行于芯片表面，是横向导电器件。而目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构。这大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。按垂直导电结构的差异，电力MOSFET又分为得用V形槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET。 电力MOSFET也是多元集成结构，一个器件由许多个小MOSFET元组成。每个元的开关和排列方法，不同生产厂家采用了不同的设计，因而对其产品取了不同的名称。国际整器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元，西门子（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元，而摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS则采用了矩形单元按“品”字形排列。不管名称怎样变，垂直导电的基本思想没有变。 (4）绝缘栅双极晶体管（IGBT） 绝缘栅双极晶体管（IGBT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。因此，自其1986年开始投入市场就迅速扩展了其应用领域，目前已取代了原来GTR和一部分电力MOSFET的市场，成为中小功率电力电子设备的主导器件，并在继续努力提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。 IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。IGBT具有很强的通流能力。IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种场控器件。PNP晶体管与N沟道MOSFET组合而成的IGBT称为N沟道IGBT，记为N-IGBT，相应还有P沟道IGBT，记为P-IGBT，实际当中N沟道IGBT应用较多。 1.1.2电器元件的选择 对于本次15KVA逆变电源设计，在电器元件上选择IGBT，下面将对IGBT的性能、优势及主要参数做详细的介绍： 1.1.2.1 IGBT开关器件的驱动和保护 绝缘栅极双极性晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种新发展起来的复合型电力电子器件.它既有单极性电压驱动器件MOSFET的优点，又结合了双极性器件GTR耐高压、电流大的特点.因为是电压控制器