《CH0-二极管及其基本电路》-课件.ppt

3 二极管及其基本电路;3.1 半导体的基本知识; 3.1.1 半导体材料; 3.1.2 半导体的共价键结构; 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用; 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。; 1. N型半导体（掺5价磷）; 2. P型半导体（掺3价硼）; 3. 杂质对半导体导电性的影响; 本征半导体、杂质半导体;3.2 PN结的形成及特性; 3.2.1 载流子的漂移与扩散; 3.2.2 PN结的形成;; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:; 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 ; 3.2.3 PN结的单向导电性; 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 ; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。; (3) PN结V-I 特性表达式; 3.2.4 PN结的反向击穿; 3.2.5 PN结的电容效应; (2) 势垒电容CB;3.3 半导体二极管;3.3.1 半导体二极管的结构;（a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 ; 3.3.2 二极管的伏安特性; 3.3.3 二极管的主要参数;注 意;3.4 二极管基本电路及其分析方法;3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法;例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;（2）恒压降模型;（4）小信号模型; 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻; 特别注意： 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT 。 ;2．模型分析法应用举例;（2）静态工作情况分析;（3）限幅电路;（4）开关电路;（6）小信号工作情况分析;3.5 特殊二极管;(1) 稳定电压VZ;3. 稳压电路;3.5.2 变容二极管;3.5.3 肖特基二极??;3.5.4 光电子器件;2. 发光二极管;3. 激光二极管; 本章作业 P97 3.4.1 3.4.3 3.4.4 3.4.7 3.4.10