等离子体增强原子层沉积技术--研究.pdf

等离子体增强原子层沉积的研究 前躯体1 前躯体2 基片 图1．4前躯体2冲至基片示意图 前躯体1 前躯体2 基片 图1．5第二冲洗过程后不意图 原子层沉积的两个限定性特征[29】：自限制的原子逐层生长和高度保形镀膜。 自限制生长模式：选择适当的条件，反应的每一步都是饱和的。比如，第1种反 应前驱体饱和地吸附在表面上，形成一层致密的单原子层，惰性气体带走多余的 反应前驱体；第2种反应前驱体通入时它只能与碰到的单原子层反应，生成所需 的薄膜和气体副产物，反应完毕，薄膜生长停止。惰性气体又带走未反应完的第 2种反应物和反应副产物。每个周期生长的薄膜都是固定不变的，一层单层薄膜。 对于A1203薄膜的沉积，反应过程如下： 总反应方程式：2Al(cH3)3+3H20◆A1203+6cH4 (2)(一o．)A1(cH3)3。(s)+3／2 两个分步反应分别代表了两种前躯体通至基片上时所发生的化学反应，(1) 为TMA与基底发生的反应，(2)为H20通至基片时与已经附着TMA的基片所 发生的反应【30】。 ALD法制备A1203的原理可以用图1．6表示： 4 0 等离子体增强原子层沉积的研究 。 ，／姚 7 cH： cH≈——A孓H， c＼：／ci。鬻c等 7’ CHd 掣尸H彳叱等Hs甲H 弋尸H?H甲H 宁H Al O—AIO—AIO—AI 图1．6 A1203沉积原理不葸图 沉积到基片上，然后再进行步骤2的冲洗过程，将多余的A1(CH3)3粒子和反应 的副产物洗净，步骤3将H20通入到附有Al(cH3)3基团的基片表面上，此时又 会产生多余的H20粒子和反应副产物，所以仍然要进行如步骤4所示的冲洗过 程，洗净后得到入步骤4所示的镀层【3¨。这样就形成单一层的膜，成膜原理简 单，易于操作，而且成分单一，每层均为A1203薄膜。原子层沉积技术的基础就 是不断重复这种自限制反应沉积形成所需要的薄膜。 ALD相对于温度敏感的cVD过程而言，沉积的温度区间要宽得多。温度过 低的话前驱体会因为表面化学吸附和反应O势垒作用难以在基体材料表面充分 吸附和反应，甚至出现反应物质的冷凝，可能导致严重影响膜层质量，降低反应 速度，成膜也不均匀，肉眼观测会有彩虹状的薄膜，如果温度低到一定程度，将 得不到薄膜，仅有粉末状生成物附着在沉积腔体中：反之，温度过高反应前驱体 或反应产物易分解或从表面脱附，也会影响沉积薄膜质量，降低反应速度。ALD 的生长速率与沉积温度之间的关系【32．33】如图1．7所示： 等离子体增强原子层沉积的研究 1．0 O