CMOS实验一.doc

实验课1 MOS管特性分析 —.执行示例中的仿真程序，给出仿真结果。并在NMOS的栅源电压为1.2V时， PMOS源栅电压等于1.2V吋，分别仿真得出二者漏电流特性曲线。这种情况下， 手工计算出对于NMOS,当VDS=1V吋漏电流、跨导的值；对于PMOS VSD=1V时漏 电流、跨导的值。井与仿真结果比较。沟道长度设置为lu，观察器件的漏电流 有怎样的变化？ 答：执行实例仿真文件波形如下: NMOS的栅源电压为1. 2V时，PMOS源栅电压等于1. 2V时，分别仿真得出二者漏 电流特性曲线 S5u -Av鵬=0.5? S5u - Av鵬=0.5?Cox y (V^ _ ) (1 + 收历)屮?=vr"() + 2(^|2<t> +ys.^ 2<t>) = 54.3/M ifu NMOS 可以醐^^■=2>17xw s 对于PMOS:此时由于VSG=1. 2V, VSD=1V, VDG=O. 2V, PMOS工作在饱和区 ]y 2 Ip屬=_0.5/zpCox — (VGS - VTH) (1 + /IVDS-)其屮 V/7/ = V，"。+ 2(^20 +Vs.^ | -^2C>|) w w 可以解得PMOS-11.5/M 而 SmPMOS = ^pC°x ~[^GS U 叫紙丁1 可以解得 PMOS 可以解=5.76x10 5S 当NMOS和PMOS的沟道长度为lu吋，漏电流仿真波形如下: 二.P34 习题 2. 5 1.义= 0.1 y = 0.45 2么二0.9 V馴=0.7 VG5=Vdd-Vx=3-Vx ^=VX Vw = ^THO SB - V^F ) 当 Wm=3-Vx-0.7-0.45(#9 + Vx-V5J)>0吋,M0S 工作在饱和区，则: Vx <1.97V Ix =^ttC0X y (2.727-Vx -0.45V0.9 + Vx)2(1.3-0.1Vx) △ JLz 当人〉1.977 MOS工作在截至区。Ix =0 Vx Vx 3v 仿真结果为:附源砌 仿真结果为: 附源砌 .TITLE N01 氺承氺氺氺尜氺氺氺尜氺氺氺尜model NMOS ****************** ****** .MODEL NMOS NMOS ( +LEVEL= 1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 +NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U()=35() LAMBDA=(). 1 +TOX=9c-9 PB=0.9 CJ=0.56c-3 CJSW=0.35c-l 1 +MJ=0.45 MJSW:0.2 CGDO=0.4e-9 JS= 1 .Oe-8) 氺氺氺氺氺氺氺氺氺氺氺氺氺氺pmos氺*氺*氺氺氺氺氺氺************** ?MODEL PMOS PMOS( +LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8 +NSUB=5e+14 LD=0.09e-6 U0=100 LAMBDA=0.2 +TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-l 1 +MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-8) ，丁? *了，，丁? ?】? ?了，?了，?了，?了， Ml DN GN SN BN NMOS W=luL=0.5u VDSN DN GN 0 VGSN GN 0 3 VBSN BN 0 0 VSN SN 0 0 .DC VSN 0 1.5 0.01 .options post acct probe .probe 1(MI) LX7(M 1) ?END 2. /l = / = 0 Vf/y = 0.7 V 当0<Vx<l源和漏颠倒，且工作在线性区，则: H."x H-Vx h= -0.5a,,C0X y[2(1.2-vx)(l-vx)-(l-vx)2] w = -0.5A,Cox-(1-Vx)(1.4-Vx) IV g,”= v"cox —(i-vx) 当1<匕<1.2工作在线性区，贝IJ: VGS =1.9-l = 0.9V Hl Ix=吻” Cox ^[2(1.2-VX)(1 -Vx)-(1-Vx)2] w 8m = MnC()X _ (^X _1) 当VX〉1.2V吋，工作在饱和区，则： 1 W 9 ^ = -A,Qxy(0.2)2 IV gm= /<:COX 了 (0.2) 当考虑衬底偏?效应吋：当人〉1时：/ = 0.45 2么=0.9 Vw()=0.7 VTH = 0.7 + 0.45(70.9 4-1 - V(X9) =0.89V 则G = 0 = 0波形如下所示： 仿其结果为: 附源码: 附源码: ?TITLE N02 氺氺氺氺氺承氺氺氺氺氺氺氺氺pjiadgi NMOS **