智能型磁控溅射沉积系统-浙江大学试验室与设备管理处.DOC

PAGE 第PAGE 1页 编号： 编号： 浙江大学 购置大型仪器设备可行性论证 与审批报告 仪器设备名称 智能型磁控溅射沉积系统 申 请 单 位 材料科学与工程系 硅材料国家重点实验室 申 请 人 马向阳 项 目 负 责 人 杨德仁 经 费 来 源 985 经费主管部门 申 请 日 期 2012 实验室与设备管理处制 仪器设备中文名称 智能型磁控溅射沉积系统 仪器设备外文名称 Magnetron Sputtering Deposition System 型号规格 CK?3/智能型三工位 申购数量 1 单价估计 人民币(元)：（略）万 (折合)外币 主要技术指标 主要配置条件及其技术指标 1.极限真空（无负载）：≤4.7×10-4Pa（经烘烤除气后）； 2.工作真空：≤6.67×10-3Pa（充入干燥N2条件，至少在开机33分钟内达到）； 3.样品规格：50mm×50mm/块或20mm×20mm/ 4.样品衬底材料：可在高温环境（850℃）长期工作之特点，并可装载50mm×50mm/次?4 5.样品电热器：工作温度≤800℃，具备在线测温配置条件；有效加热面积≥Ф100mm； 6.样品架装置：可在800℃下装载一块样品衬底，具备对样品实施连续自转或Z向调节±20㎜之工艺条件，并对样品衬底具备快速锁紧与定位的结构条件； 7.磁控溅射阴极（共3套）：有效溅射面积≤Ф50mm，其中2套阴极为RF/DC兼容，可分别完成对氧化物或非导磁金属薄膜的沉积。另外一支阴极可用于磁金属薄膜的沉积，同时也须具备RF/DC兼容条件 8.溅射电源（共3台）：具备自设充气（Ar）的结构条件且布气均匀 （1）RF溅射电源（3台）：500W，具备对功率自动匹配的功能条件； 9.UHV?挡板（共4套）：样品总挡板×1套，独立挡板×3套 （1）各挡板均须具备按计算机指令可即时启动的功能及其配置条件； （2）样品总挡板：可承受800℃高温烘烤，并保持真空动密封和顺畅的往返运动。 （3）各挡板同被遮挡的各接口面，均须保持良好的粘合以获最佳的封闭效果。 10.晶振探头（共3套）： （1）设置水冷与UHV密封条件，在高温烘烤环境保障石英晶片邻近恒温状态； （2）金属水冷管路经真空热处理增加柔性使探头位置可便利实现额度调整。 11.采用计算机PLC编程控制模式，将本设备于：开机、真空获得机组操作、真空和样品加热过程在线监测、各溅射（含蒸发）多层膜沉积过程与各靶位选择、停机、各项操纵环节，均实现自动化控制完成。 主要功能.应用范围 与共享学科 溅射是常用的一种薄膜生长技术。溅射镀膜是利用辉光放电产生的正离子在电场的作用下高速轰击作为阴极的靶，使靶材中的原子（或分子）获得能量逸出而淀积到衬底表面，形成所需要的薄膜的一种工艺。获得的薄膜具有纯度高，致密性好，与衬底结合力强，膜厚均匀并可控等特点，同时溅射方法还有不受材料种类限制（可在硅片、陶瓷、玻璃、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、金属等材料表面镀制Al、Au、Cr、Ti、Ni、Cu、W、SiO2、各种金属、非金属、单层、多层膜和混合膜），工艺重复性好，操作方便等优点，因此，溅射设备是半导体材料研究尤其涉及薄膜制备领域不可或缺的重要设备，它广泛用于微电子、光电子、通讯、微机械、新材料、能源等领域的器件研发和制造。 申 购 理 由 和 必 要 性 本次申购的多功能溅射与高温沉积系统是制备高质量多层膜、复合膜的必需设备，兼具了直流溅射（一般只能用于靶材为良导体的溅射）、射频溅射（适用于绝缘体、导体、半导体等靶材的溅射）和磁控溅射（具有沉积温度低、沉积速率高两大特点）等溅射设备的优点；同时该设备对真空过程、工作压强、功率加载、射频电源匹配、气体流量及工艺过程的全自动智能控制，使工艺重复性、稳定性、可靠性得到有效的保证。该设备不仅可以满足国家科技重大专项课题的需要，同时还可以服务于材料系其它研究方向的科研工作，对于促进学科发展具有重要意义。 另外，虽然我校已有若干台薄膜制备设备，但绝大部分已无法满足前表中所列技术要求，无法实现高质量多层膜、复合膜的制备，而且本课题组溅射设备的使用频率很高，若使用外单位设备，将严重影响科研进度。因此若能顺利购买此设备，不仅有利于国家重大基础研究项目的顺利进行，而且将对今后相关科研工作的深入开展起到重要的支撑作用。 调 研 情 况 1.本校有同类设备 4