微米级碳化硅晶须的双重加热合成-研究.pdfVIP

微米级碳化硅晶须的职重加热合成研究 0前言 随着现代高科学技术的迅猛发展，世界各国掀起了一场新技术革命，新材 料作为一切新科技成就的基础而倍受重视，新材料的研究水平和产业化的规模， 是衡量一个国家和地区经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。 普通金属材料的强度较低，陶瓷材料的脆性大，所以在一定程度上限制了 它们的应用；而在金属基体或陶瓷基体中添加高强度的晶须增强体，制成金属 基或陶瓷基复合材料，就可以大大改善材料的综合性能，从而克服金属材料和 陶瓷材料的弱点。因此，晶须增强复合材料正在成为材料科学研究的热点领域。 在各种晶须材料中，碳化硅晶须的优良特性尤为引人注目，有“晶须之王” 的美称，是发展现代复合材料必不可少的高性能增强剂。与纳米级的碳化硅晶 须相比，微米级碳化硅晶须的相关研究比较深入，并且有着广阔的应用基础和 市场需求。因此，微米级碳化硅晶须作为一种高技术材料的地位已被牢牢确立， 以其补强增韧的各种复合材料也在各个领域得到广泛应用。 碳化硅晶须在美国、日本等发达国家早已实现产业化，国产碳化硅晶须在 质量上虽然已经达到国外同类产品的性能指标，但是尚未实现工业化生产，所 用的碳化硅晶须基本上依赖于进口；而碳化硅晶须属于巴黎协会的统筹物资， 限制向第三世界国家大量出口。这两方面的原因使得碳化硅晶须在数量上远远 不能满足国内复合材料研究的要求以及应用单位的需求。因此，实现国内碳化 硅晶须的工业化生产是急需解决的首要问题。 此外，国内外现有的碳化硅晶须制备工艺合成温度高，一般在1500～1800 ℃，因此能耗很高；高的合成温度又使得电炉耐火材料和保温材料的寿命大幅 度降低，造成了资源的浪费，产生了大量的固体废弃物，破坏了环境。因此， 降低碳化硅晶须的合成成本也是必须加以解决的问题。 为此，本文探讨了合成碳化硅晶须的双重加热技术，自制了双重加热炉， 优选出了最佳工艺条件，确定了合成机理，初步研究了碳化硅晶须的分离提纯 工艺，摸索出一条低成本、大批量生产碳化硅晶须的新途径。 1 丝鲞堡壁些壁曼堡塑翌皇塑垫鱼盛堑壅 双重加热合成碳化硅晶须具有以下特点：生产过程简单、合成温度低、生 产周期短、无污染、每次合成的数量多；因而生产成本大大降低，规模化生产 能力大大提高，可以在全国范围内推广应用。 2 微米级碳化硅晶须的双重加热合成研究 1文献综述 晶须强化增韧是目前解决材料高温韧性的有效途径：与微米级颗粒相比晶 须的增韧效果更佳…；与连续纤维相比，晶须强化增韧的工艺更为简便。 carbide 在众多的晶须材料当中，碳化硅晶须(siliconwhisker，简称SiCw) 的研究最为深入。凭借其优良的性能，碳化硅晶须已经被广泛应用到机械、化 工、国防、能源和环保等诸多领域【21。 碳化硅晶须是一种针状的单晶纤维，晶体结构与金刚石相类似，具有熔点 高(2700。C)、密度低(3 219-cm。)、强度高、弹性模量高、热膨胀率低，以及 耐磨、耐腐蚀、抗高温氧化能力强等优良特性；碳化硅晶须有a和B两种晶型， a．SiCw为六方和菱方结构，B．SiCw为面心立方结构，B．SiCw在耐温、硬度、 抗拉强度等方面要优于Ⅱ．SiCwf31，所以B．SiCw的制备与研究就有着特别重要 的意义。 1．1碳化硅晶须的制备方法 目前碳化硅晶须的制备方法按照所用原料的初始状态可以分为：固相法、 气相法、气固法。 1．1．1固相法 1．1．1．1碳热还原法 该法是制备碳化硅晶须的主要方法，主要是以Si02作为硅源、以炭黑作为 碳源，达到一定温度时，Si02颗粒与C反应产生SiO气体和CO气体，或者是 Si02颗粒分解产生SiO气体，SiO气体扩散并吸附在C粒上发生还原反应生成 碳化硅晶须，或者是通过SiO气体和CO气体之间的还原反应生成碳化硅晶须。 JVMilewski等14l以Si02与C为原料，在铁(粒径30llm)催化剂的作用 下，于H2、C